Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Доброжан, Олександр Анатолійович; Данильченко, П.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67813

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych Данильченко, П.С.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0001-9238-7596
Keywords	сонячні елементи солнечные элементы solar cells тонкі плівки тонкие пленки thin films хімічні елементи химические элементы chemical elements
Type	Conference Papers
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67813
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Данильченко, П.С. Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS [Текст] / П.С. Данильченко, О.А. Доброжан, А.С. Опанасюк // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 5-9 лютого 2018 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми: СумДУ, 2018. – С. 97.
Abstract	Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)