Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Возний, Андрій Андрійович; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Подопригора, О.О.; Фролов, А.І.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67893

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Возний, Андрій Андрійович Voznyi, Andrii Andriiovych Yeromenko, Yurii Serhiiovych Подопригора, О.О. Фролов, А.І.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-9153-8097
Keywords	фотоперетворювач фотопреобразователь photoconverters сонячна енергія солнечная энергия solar energy гетероструктури гетероструктуры heterostructures
Type	Conference Papers
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67893
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS [Текст] / О.О. Подопригора, Ю.С. Єрьоменко, А.А. Возний [та ін.] // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 5-9 лютого 2018 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми: СумДУ, 2018. – С. 108.
Abstract	В наш час відбувається активний пошук перспективних матеріалів та розробляються нові підходи до створення приладових структур з підвищеною ефективністю перетворення сонячної енергії в електричну. Для створення фотоперетворювачів (ФЕП) третього покоління в якості поглинального шару сьогодні почала використовуватися сполука сульфіду олова, яка відноситься до групи A4B6. SnS – нетоксичний, дешевий матеріал, складові елементи якого широко розповсюджені у земній корі.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)