Елементний склад та оптичні властивості плівок ZnxCd1–xS

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Єрмаков, М.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67920

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Елементний склад та оптичні властивості плівок ZnxCd1–xS
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Yeromenko, Yurii Serhiiovych Єрмаков, М.С.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-9153-8097
Keywords	перетворювачі преобразователи converters напівпровідник полупроводник semiconductor плівки пленки films
Type	Conference Papers
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67920
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Єрьоменко, Ю.С. Елементний склад та оптичні властивості плівок ZnxCd1–xS [Текст] / Ю.С. Єрьоменко, М.С. Єрмаков, А.С. Опанасюк // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 5-9 лютого 2018 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми: СумДУ, 2018. – С. 68.
Abstract	Одним із перспективних матеріалів для використання в якості віконного шару гетероперехідних (ГП) фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії є твердий розчин ZnхCd1 – хS. Плівки цього розчину мають властивості покращені порівняно з вихідними халькогенідами CdS та ZnS. Зокрема, введення цинку в традиційний для віконних шарів матеріал – CdS, дозволяє збільшити коефіцієнт пропускання світла плівкою та розширити спектральний діапазон її прозорості. При цьому, зміна вмісту цинку дає змогу регулювати період кристалічної гратки напівпровідника, що дозволяє мінімізувати кількість дефектів на границі віконного та поглинаючого шарів сонячних елементів (СЕ).
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)