Тонкопленочные структуры на основе систем ZnO/SiC и ZnO/C

Абдуев, А.Х.; Ахмедов, А.К.; Асваров, А.Ш.; Махмудов, С.Ш.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68411

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Тонкопленочные структуры на основе систем ZnO/SiC и ZnO/C
Other Titles	Thin Film Systems Based on ZnO/SiC and ZnO/C
Authors	Абдуев, А.Х. Ахмедов, А.К. Асваров, А.Ш. Махмудов, С.Ш.
ORCID
Keywords	тонкая пленка магнетронное распыление оксид цинка углерод карбид кремния тонка плівка оксид цинку вуглець карбід кремнію thin film magnetron sputtering ZnO carbon SiC
Type	Article
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68411
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Тонкопленочные структуры на основе систем ZnO/SiC и ZnO/C [Текст] / А.Х. Абдуев, А.К. Ахмедов, А.Ш. Асваров, С.Ш. Махмудов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, №2. - 02041. - DOI: 10.21272/jnep.10(2).02041.
Abstract	Исследованы процессы магнетронного формирования тонкопленочных трехслойных структур ZnO/X/ZnO, где в качестве промежуточного слоя Х использованы аморфные слои углерода и карбида кремния. Исследованы процессы, происходящие на интерфейсах ZnO/углерод и ZnO/SiC при отжиге тонкопленочных структур в инертной атмосфере. Показано, что различия в морфологии и структуре слоев ZnO после отжига обусловлены различием химических реакций, протекающих на интерфейсах , и механизмов диффузии компонентов по межзеренным границам. The processes of formation of Zn/X/ZnO three-layer structures (where X – intermediate layer of C or SiC) by magnetron sputtering are studied. The processes taking place at the ZnO/C and ZnO/SiC interfaces of the multylayered films upon annealing in an inert gas are investigated. It is shown that the differences in the morphology and structure of the ZnO sublayers after annealing are due to the difference in chemical reactions occurring at the interfaces and the diffusion mechanisms of the components along the grain boundaries.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)