Ионизация примесей постоянным электрическим полем в графене с широкой запрещенной зоной

Abstract

Получено аналитическое выражение для вероятности ионизации примесей в щелевой модификации графена в присутствии постоянного электрического поля в квазиклассическом приближении. Исследо- вана вероятность ионизации примесей от направления вектора напряженности электрического поля. Вероятность ионизации в постоянном электрическом поле обладает слабо выраженной анизотропией, проявляющейся в случае, когда ширина запрещенной зоны графена больше энергии перескока электро- нов между соседними узлами кристаллической решетки. Проведено сравнение результатов с ранее из- вестными, полученными для спектра, заданного в низкоэнергетическом приближении.

An analytical expression for the probability of ionization of impurities in the gap modification of graphene in the presence of a constant electric field in the semiclassical approximation is received. The probability of ionization of impurities from the direction of the electric field strength vector is investigated. The probability of ionization in a constant electric field has a weakly pronounced anisotropy, manifested in the case when the width of the forbidden graphene band is greater than the energy of electron hopping between neighboring lattice sites. The results are compared with those previously known for the spectrum given in the low-energy approximation.