Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68674
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Фото-електричні властивості кремнієвих структур із нанокомпозитним епоксидно-полімерним шаром
Other Titles Photo-electrical Properties of Silicon Structures with Nano-composite Epoxy-polymeric Layer
Фото-электрические свойства кремниевых структур с нанокомпозитным эпоксидно-полимерным слоем
Authors Шмід, В.І.
Назаров, С.П.
Подолян, А.О.
Надточій, А.Б.
Коротченков, О.О.
ORCID
Keywords кінетика SPV
нанокомпозитні плівки
фото-е.р.с
кинетика SPV
нанокомпозитные пленки
фото-э.д.с.
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68674
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Фото-електричні властивості кремнієвих структур із нанокомпозитним епоксидно-полімерним шаром [Текст] / В.І. Шмід, С.П. Назаров, А.О. Подолян [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т. 10, № 2. - 02024. - DOI: 10.21272/jnep.10(2).02024.
Abstract У роботi методами поверхневої фото-е.р.с., FTIR- спектроскопiї та вимірюванням частотних залежностей діелектричної проникності проведено дослідження структури типу "кремнієва підкладка/нанокомпозитний епоксидно-полімерний шар". Виявлено, що нанесення на кремнієву підкладку нанокомпозитної плівки на основі епоксидної смоли з порошком SiO2 зумовлює зменшення амплітуди фото-е.р.с з одночасним сповільненням її релаксації. Отримані дані пояснюються в припущенні, що взаємодія карбонільних і гідроксильних груп зв’язувача з активними центрами наповерхні частинок SiO2 і встановлення SiO та SiN зв’язків на поверхні кремнію змінює умови рекомбінації носіїв заряду та вигин зон в приповерхневому шарі Si.
работе методами поверхностной фото-эдс, FTIR- спектроскопии и измерением частотных зависимости диэлектрической проницаемости проведено исследование структуры типа "кремниевая подкладка / нанокомпозитный эпоксидно-полимерный слой». Обнаружено, что нанесение на кремниевую подложку нанокомпозитных пленок на основе эпоксидной смолы с порошком SiO2 приводит к уменьшению амплитуды фото-э.д.с с одновременным замедлением ее релаксации. Полученные данные объясняются в предположении, что взаимодействие карбонильных и гидроксильных групп связующим с активными центрами поверхности частиц SiO2 и установления SiO и SiN связей на поверхникремнию меняет условия рекомбинации носителей заряда и изгиб зон в приповерхностном слое Si.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
125183
Germany Germany
1
Greece Greece
1
Ireland Ireland
1343
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
96
Ukraine Ukraine
16505
United Kingdom United Kingdom
8444
United States United States
520611
Unknown Country Unknown Country
11

Downloads

Lithuania Lithuania
1
Poland Poland
1
Ukraine Ukraine
32927
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
672199
Unknown Country Unknown Country
6

Files

File Size Format Downloads
Shmid_nanocomposite.pdf 452.79 kB Adobe PDF 705135

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.