Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69262
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Effect of RF-magnetron Sputtering Parameters on the Structure of Hafnium Diboride Films |
Other Titles |
Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію Влияния параметров ВЧ-магнетронного распыления на структуру пленок диборида гафния |
Authors |
Honcharov, Oleksandr Andriiovych
![]() Yunda, Andrii Mykolaiovych Buranych, Volodymyr Volodymyrovych Shelest, Ihor Vladyslavovych Лобода, В.Б. |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0002-9275-0073 |
Keywords |
magnetron discharge hafnium diboride bias potential structure ion current магнетронное распыление диборид гафния потенциал смещения структура ионный ток магнетронне розпилення диборид гафнiя потенціал зміщення іонний струм |
Type | Article |
Date of Issue | 2018 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69262 |
Publisher | Sumy State University |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Effect of RF-magnetron Sputtering Parameters on the Structure of Hafnium Diboride Films [Текст] / A.A. Goncharov, A.N. Yunda, V.V. Buranich [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03002. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03002. |
Abstract |
The study reports about effect of energy factor on the structure formation of nanocrystalline hafnium
diboride films. It was shown, that in the magnetron sputtering the change of energy density Ebi delivered to
growing film by bombarding ions occurring due to changing in substrate bias potential Us and ion current
density js, leads to the formation of hafnium diboride films with various structural states from nanoclustered
to nanocrystalline with a growth texture in plane (0.01) and nanocrystallites size from 2.3 to 20 nm
respectively. Исследовано влияние энергетического фактора на формирование структуры нанокристаллических пленок диборида гафния. Показано, что при магнетронном распылении, изменение плотности энергии Ebi, доставляемой растущей пленке бомбардирующими ионами, за счет изменения потенциала смещения Us и плотности ионного тока js, на подложке приводит к формированию пленок диборида гафния различного структурного состояния от нанокластерного до нанокристаллического с текстурой роста нормалью к плоскости (0.01) и размером нанокристаллитов от 2,3 до 20 нм соответственно. Досліджено вплив енергетичного фактора на формування структури нанокристалічних плівок дибориду гафнію. Показано, що при магнетронному розпиленні, зміна густини енергії Ebi, що постачається зростаючій плівці бомбардуючими іонами, за рахунок зміни потенціалу зміщення Us, та щільності іонного струму js, призводить до формування плівок дибориду гафнію різного структурного стану від нанокластерного до нанокристалічного із текстурою зростання нормаллю до площини (0.01) та розміром нанокристалітів від 2,3 до 20 нм відповідно. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

183955526

690506

1

119056

1

23810

4096

1

1028

10483564

3214432

587372023

1592699080

2048
Downloads

1

1

1

1

11

20966893

1

587372014

5

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
JNEP_03002.pdf | 699.64 kB | Adobe PDF | 608338929 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.