Numerical Simulation of SnS-Based Solar Cells

Ivashchenko, M.M.; Buryk, I.P.; Kuzmin, D.V.; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69267

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Numerical Simulation of SnS-Based Solar Cells
Other Titles	Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS Численное моделирование солнечных элементов на базе SnS
Authors	Ivashchenko, M.M. Buryk, I.P. Kuzmin, D.V. Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	solar cell simulation fill factor efficiency SCAPS сонячний елемент моделювання фактор заповнення К.К.Д. солнечный элемент моделирование фактор заполнения К.П.Д.
Type	Article
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69267
Publisher	Sumy State University
License
Citation	Numerical Simulation of SnS-Based Solar Cells [Текст] / M.M. Ivashchenko, A.S. Opanasyuk, I.P. Buryk, D.V. Kuzmin // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03004. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03004.
Abstract	In this paper it was carried out the numerical simulation of the main working parameters (light current- voltage curves, quantum yield spectral distributions) of SnS-based (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) solar cells (SCs) using the SCAPS-3102 simulation package. Using the basis input simulation parameters such as wide band gap Eg,, layers thicknesses d, electron affinities х, etc. there were estimated the next SCs characteristics: open-circuit voltages UOC, short-circuit current densities JSC, fill-factors FF and their efficiencies ᶯ . These data allows us to estimate the optimal constructive parameters of simulated SCs. В даній роботі проведене числове моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольт-амперні характеристики, спектральні розподіли квантової ефективності) сонячних елементів (СЕ), виконаних на базі шару SnS (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) з використанням програмного пакету SCAPS-3102. Обравши такі базові характеристики для моделювання, як ширина забороненої зони Eg,, товщини шарів d, спорідненості електронів х, тощо, були отримані наступні експлуатаційні характеристики СЕ: напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF та коефіцієнт корисної дії фотоперетворення ᶯ. Отримані значення дозволили визначити оптимальні конструктивні параметри змодельованих сонячних елементів. В данной работе было проведено численное моделирование основных эксплуатационных характеристик (световые вольт-амперные характеристики, спектральное распределения квантовой эффективности) солнечных элементов (СЭ), исполненных на основе слоя SnS (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) с использованием программного пакета SCAPS-3102. Избрав такие характеристики для моделирования, как ширина запрещенной зоны Eg,, толщины слоев d, электронное сродство х, и т.д., были получены следующие эксплуатационные характеристики СЭ: напряжение холостого хода UOC, плотность тока короткого замыкания JSC, фактор заполнения FF и коэффициент полезного действия фотопреоб- разования ᶯ. Полученные значения позволили определить оптимальные конструктивные параметры смоделированных солнечных элементов.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)