Інжекційна спектроскопія локалізованих станів у плівках напівізолюючих cполук А2В6

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Тиркусова, Надія Володимирівна; Колесник, Максим Миколайович; Косяк, Володимир Володимирович; Курбатов, Денис Ігорович; Доброжан, Олександр Анатолійович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70674

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Інжекційна спектроскопія локалізованих станів у плівках напівізолюючих cполук А2В6
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Kurbatov, Denys Ihorovych Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-3248-0067 http://orcid.org/0000-0003-2019-8387 http://orcid.org/0000-0002-2754-6367 http://orcid.org/0000-0001-9238-7596
Keywords	локалізовані стани локализированные состояния noncommunicative states інжекційна спектроскопія инжекционная спектроскопия injection spectroscopy вольт-амперна характеристика вольт-амперная характеристика volt-ampere description
Type	Monograph
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70674
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Інжекційна спектроскопія локалізованих станів у плівках напівізолюючих cполук А2В6 [Текст]: монографія / А.С. Опанасюк, Д.І. Курбатов, Н.В. Тиркусова [та ін.]; за заг. ред. А.С. Опанасюка, Д.І. Курбатова. - Суми: СумДУ, 2018. - 254 с.
Abstract	У монографії наведено результати вивчення характеристик точкових дефектів у напівізолюючих плівках сполук А2В6 (CdTe, ZnTe, ZnS, CdS) методом інжекційної спектроскопії, розвиненим авторами. Викладені основи цього методу, встановлені межі його застосування, обмеження та роздільна здатність. Проаналізовано вплив експериментальних факторів, а також спрощень робочих співвідношень на похибку визначення параметрів пасток безпосередньо з вольтамперних характеристик (ВАХ) зразків. Описано самоузгоджене та високотемпературне наближення методу інжекційної спектроскопії. Розглянуто вплив неоднородності розподілу пасток за товщиною зразків на точність визначення їх параметрів з ВАХ струмів, обмежених просторовим зарядом (СОПЗ). Подано результати дослідження ансамблю точкових дефектів у плівках сполук А2В6 у рамках квазіхімічного формалізму та визначення їх параметрів із ВАХ СОПЗ. Монографія може бути корисною для фахівців, які займаються дослідженням ансамблю точкових дефектів у сполуках А2В6, використанням цих сполук в електроніці, та студентів і аспірантів.
Appears in Collections:	Навчальні та наукові видання видавництва СумДУ