Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії

Круковський, С.І.; Ільчук, Г.А.; Круковський, Р.С.; Семків, І.В.; Змійовська, Е.О.; Токарєв, С.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70714

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії
Other Titles	Формирование варизонной активной области фотоэлектрического преобразователя на основе твердых растворов AlGaAs модуляцией потока триметилалюминия в методе МОС-гидридной эпитаксии Formation of Graded-Gap Active Region of the Photoelectric Converter Based on Algaas Solid Solutions by Trimethylaluminium Flow Modulation in the MOC Vapour Deposition Method
Authors	Круковський, С.І. Ільчук, Г.А. Круковський, Р.С. Семків, І.В. Змійовська, Е.О. Токарєв, С.В.
ORCID
Keywords	AlGaAs МОС-гідридна епітаксія варізонна структура МОС-гидридная эпитаксия варизонная структура metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) graded-gap structure
Type	Article
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70714
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії [Текст] / С.І. Круковський, Г.А. Ільчук, Р.С. Круковський [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03025. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03025.
Abstract	Представлено методику формування гетероструктури nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs за допомогою методу МОС-гідридної епітаксії в температурному діапазоні 630-700 °С. Проведено дослідження розподілу концентрації носіїв заряду по товщині епітаксійних шарів n-GaAs легованих кремнієм та концентрації AlAs по товщині шару твердого розчину AlxGa1-xAs. Показано високу структурну досконалість отриманих епітаксійних шарів варізонної структури. Створено сонячний елемент з активною площею 1 см2. Показано, значення коефіцієнта корисної дії (ƞ = 25,37 %) отриманого сонячного елемента, що є вищим від такого значення для елементів на основі GaAs. Представлена методика формирования гетероструктуры nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs с помощью метода МОС-гидридной эпитаксии в температурном диапазоне 630-700 °С. Проведено исследование распределения концентрации носителей заряда по толщине эпитаксиальных слоев n-GaAs легированных кремнием и концентрации AlAs по толщине слоя твердого раствора AlxGa1-xAs. Показано высокое структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев варизонной структуры. Создан солнечный элемент с активной площадью 1 см2. Показано значение коэффициента полезного действия (η = 25,37 %) полученного солнечного элемента, которое является выше такого значения для элементов на основе GaAs. The method of formation of nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs heterostructure by the MOC vapour deposition method in the temperature range of 630-700 °С is presented. The investigation of the charge carrier concentration dependence on the thickness of the n-GaAs epitaxial layers doped with silicon and AlAs concentration dependence on the thickness of the AlxGa1-xAs solid solution layer was carried out. The high structural perfection of the obtained epitaxial layers of the graded-gap structure is shown. A solar cell with an 1 см2 active area is created. It is shown that the value of the efficiency coefficient (η = 25,37 %) of the obtained solar elements is higher than this one for solar elements based on GaAs.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)