Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3

Галій, П.В.; Мазур, П.; Ціжевський, А.; Ненчук, Т.М.; Яровець, І.Р.; Бужук, Я.М.; Дверій, О.Р.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70759

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Authors	Галій, П.В. Мазур, П. Ціжевський, А. Ненчук, Т.М. Яровець, І.Р. Бужук, Я.М. Дверій, О.Р.
ORCID
Keywords	шаруваті кристали міжшарові поверхні сколювання топографія скануючі тунельна та атомно силова мікроскопії та спектроскопії поверхневі дефекти та густина поверхневих електронних станів
Type	Article
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70759
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / П.В. Галій, П. Мазур, А. Ціжевський, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Я.М. Бужук, О.Р. Дверій // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 4. - 04002. - DOI: 10.21272/jnep.10(4).04002.
Abstract	В роботі наведені результати системного експериментального дослідження методами: дифракції повільних електронів (ДПЕ), скануючої тунельної мікроскопії та скануючої тунельної спектроскопії (СТМ/СТС), а також атомно силової мікроскопії та спектроскопії (АСМ/АСС), з врахуванням їх унік а- льних можливостей всестороннього, глибокого аналізу поверхонь шаруватих кристалів (ШК) In4Se3. Системне дослідження наноструктурованих напівпровідникових анізотропних матриць – поверхонь сколювання (ПС) (100) ШК In4Se3 проведено з метою їх використання для одержання наносистем на основі їх ПС. Досліджено вплив дефектів різної природи (точкових, лінійних, макродефектів) міжша- рових (ПС) (100) ШК In4Se3 на їх топографію та локальну густину поверхневих електронних станів (ЛГПЕС), а також на їх електронно-енергетичну структуру. Встановлено, що для всіх ШК із різною концентрацією дефектів має місце їх значний вплив на ЛГПЕС та електронно-енергетичну структуру міжшарових ПС. Показані унікальні експериментальні можливості СТМ/СТС, АСМ/АСС щодо дослі- дження топографії ПС, поряд з одержаними, з їх використанням, широкого ряду результатів спектро- скопії анізотропних наноструктурованих ПС (100) напівпровідникових ШК In4Se3.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)