Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70899
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Study of the Structural and Optical Properties of Dy Doped CdS Thin Films Deposited by Close-spaced Vacuum Sublimation
Other Titles Дослідження структурних і оптичних властивостей плівок CdS легованих Dy, отриманих методом випаровування в квазізамкненому об'ємі
Authors Yeromenko, Yurii Serhiiovych  
Kurbatov, Denys Ihorovych  
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Bukivskij, P.M.
Furier, M.S.
Bukivskii, A.P.
Gnatenko, Yu.P.
Гнатенко Ю.П.,
Буківський П.М.,
Фур'єр М.С.,
ORCID http://orcid.org/0000-0002-9153-8097
http://orcid.org/0000-0002-2754-6367
http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords semiconductor thin films
structural properties
low-temperature photoluminescence
intrinsic defects
напівпровідникові тонкі плівки
структурні властивості
низькотемпературна фотолюмінесценція
власні дефекти
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70899
Publisher Sumy State University
License
Citation Study of the Structural and Optical Properties of Dy Doped CdS Thin Films Deposited by Close-spaced Vacuum Sublimation [Текст] = Дослідження структурних і оптичних властивостей плівок CdS легованих Dy, отриманих методом випаровування в квазізамкненому об'ємі / Yu.P. Gnatenko, Yu.S. Yeromenko, D.I. Kurbatov [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 5. – 05001. – DOI: 10.21272/jnep.10(5).05001.
Abstract In this work we deposited CdS:Dy thin films using a close-spaced vacuum sublimation method at different temperatures (Ts) of the glass substrate. The XRD analysis reveals that the obtained films only correspond to a single wurtzite phase. The microstress level in Dy doped CdS films decreases compared with undoped films. The results of the pole density calculations show that at Ts  (573-673) K the [002] crystallographic direction corresponds to the main axial growth texture. The intrinsic defects in the investigated films were studied based on the low temperature photoluminescence measurements. It was shown that the CdS:Dy thin films are sufficiently stoichiometric. Analysis of the free exciton reflection spectra indicates that the polarization of the bands corresponds to the optical c-axis perpendicular to the substrate surface. The optical transmittance of CdS:Dy thin films in the range of transparency (600-800 nm) at room temperature exceeded 80 %. Based on the obtained results, it is concluded that the CdS:Dy thin films are excellent crystalline and optical quality and may be increase the efficiency their photovoltaic applications.
В роботі досліджено плівки CdS:Dy, отримані методом вакуумного випаровування в квазізамкненому об'ємі при різних температурах скляних підкладок (Ts). Результати рентгенівського аналізу показали, що отримані плівки є однофазними та мають вюрцитну структуру. Для легованих Dy плівок спостерігався менший рівень мікродеформацій у порівнянні з нелегованими. Результати розрахунку полюсної густини показали, що при Ts  (573-673) K напрям [002] відповідав головній аксіальній текстурі росту. Власні дефекти в досліджуваних плівках були вивчені з використанням методу низькотемпературної фотолюмінесценції. Було показано, що плівки CdS:Dy є досить стехіометричними. Аналіз вільних екситонів на спектрах відбивання світла від плівок свідчить, що поляризація екситону відповідає оптичній осі кристалічної гратки с, перпендикулярній до поверхні підкладки. Оптичне пропускання плівок CdS:Dy в хвильовому діапазоні (600-800 нм) при кімнатній температурі перевищує 80 %. На основі отриманих результатів, було зроблено висновок, що плівки CdS:Dy мають покращені властивості (високу кристалічну та оптичну якість), що може підвищити ефективність фотоперетворювачів світла при їх використанні в фотовольтаїці.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
14541515
Germany Germany
1
Greece Greece
1931
Ireland Ireland
34766
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
242
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
965
Ukraine Ukraine
1108921
United Kingdom United Kingdom
63790828
United States United States
224970884
Unknown Country Unknown Country
1108920
Vietnam Vietnam
1933

Downloads

China China
29083029
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
3291979
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
224970885
Unknown Country Unknown Country
18
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Gnatenko_JNEP_05001.pdf 554.63 kB Adobe PDF 257345916

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.