p-i-n Photodiode Based on Silicon with Short Rise Time

Abstract

Досліджено та проаналізовано фактори, що впливають на час виникнення фотодіоду. Використовуючи отримані результати, був розроблений фотодіод на основі високомічного кремнію провідності p-типу з мінімальним часом підйому. Пропонована конструкція. містить контак т на задній частині кристала фотодіода, який не є безперервним, але має отвір. Такою дірою є проекція світлочутливого елемента на зворотній стороні кристала фотодіоду. Значення часу підйому цього фотодіоду не перевищує 9 нс порівняно з 37 нс у аналозі FD-255A.

Исследованы и проанализированы факторы, которые влияют на время нарастания фотодиода. Используя полученные результаты, был разработан фотодиод, основанный на высокоомном кремнии с проводимостью р-типа с минимальным временем нарастания. Предлагаемая конструкция. содержит контакт на задней части кристалла фотодиода, который не является непрерывным, но имеет отверстие. Такая дырка представляет собой проекцию светочувствительного элемента на обратной стороне кристалла фотодиода. Величина времени нарастания этого фотодиода составляет не более 9 нс по сравнению с 37 нс в аналоге FD-255A.

The factors that influence the rise time of the photodiode are investigated and analyzed. Using the obtained results, a photodiode based on a high-ohmic silicon of p-type conductivity with a minimized rise time has been developed. The proposed construction. contains a contact on the back of the crystal of a photodiode, which is not continuous, but has a hole. Such a hole is the projection of a photosensitive element on the reverse side of the crystal of a photodiode. The value of the rise time of this photodiode is no more than 9 ns compared to 37 ns in the FD-255 A analogue.