Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71547
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Елементно-фазові та структурні дослідження полікристалічних поверхонь сполук системи β-Ga2O3-SnO2
Other Titles Elemental-phase and Structural Investigations of the Polycrystalline Surfaces of β-Ga2O3- SnO2 System Compounds
Authors Галій, П.В.
Васильців, В.І.
Лучечко, А.П.
Мазур, П.
Ненчук, Т.М.
Цвєткова, О.В.
Яровець, І.Р.
ORCID
Keywords високотемпературний твердофазовий синтез
х-променева фотоелектронна спектроскопія
елементно-фазовий склад
топографія
атомна силова мікроскопія поверхонь
2β-Ga2O3-SnO2 system
x-ray photoelectron spectroscopy
elemental-phase study
topography
atomic force microscopy
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71547
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Елементно-фазові та структурні дослідження полікристалічних поверхонь сполук системи β-Ga2O3-SnO2 / П.В. Галій, В.І. Васильців, А.П. Лучечко [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 5. - 05039. - DOI: 10.21272/jnep.10(5).05039.
Abstract У роботі методом високотемпературного твердофазного синтезу одержані полікристалічні напівпровідникові матеріали (ПНМ) системи 2β-Ga2O3-SnO2. Експерименти показали, що ефективність синтезу у системi 2β-Ga2O3-SnO2 залежить від способу отримання вихiдних сполук. Дослідження поверхонь одержаних ПНМ на предмет можливого їх використання у електронних пристроях, що працюють на ефекті поля та на бар’єрах Шоткі для яких міжфазові межі метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник та їх характеристики відіграють вирішальну роль. Зокрема, особливо, елементнофазовий склад та шорсткість поверхонь ПНМ, які досліджувались адекватним набором експериментальних методів – дифракції повільних електронів (ДПЕ), Х-променевої фотоелектронної спектроскопії (ХФЕС) та атомно-силової мікроскопії (АСМ). Результати дослідження поверхонь ПНМ системи 2β-Ga2O3-SnO2 порівнюються з результатами для поверхонь сколювання монокристалічних β-Ga2O3 і вказують на те, що поверхня ПМН є цілком придатною для виготовлення напівпровідникових, керованих електричним полем, пристроїв метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник з металевим керуючим електродом, за умови вибору відносно гладких ділянок на поверхні ПНМ.
The polycrystalline semiconductor materials (PSM) of 2β-Ga2O3-SnO2 system were obtained by the method of high-temperature solid-phase synthesis. Experiments have shown that the efficiency of the synthesis process in the 2β-Ga2O3-SnO2 system essentially depends on the method of the initial compoundsobtaining. The studies of the obtained PSM's surfaces for their possible application in electronic field devices and ones on Schottky barriers, for which the metal/semiconductor, metal/insulator/semiconductor interphase boundaries and their characteristics play a decisive role were conducted. Particularly elementalphase composition and roughness of PSM's surfaces, which were investigated by an appropriate set of experimental methods – low-energy electron diffraction (LEED), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM). The results obtained for the PSM 2β-Ga2O3-SnO2 system'ssurfaces are compared with the results from the surfaces of β-Ga2O3 single-crystal cleavages and indicate that the PSM surface is quite suitable for the manufacturing of semiconductorelectric field controlleddevices, such as metal/semiconductor, metal/insulator/semiconductor, with a metal control electrode, when one select the relatively smooth areas on the surface of PSM.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Brazil Brazil
1
China China
1542313
Germany Germany
51379
Greece Greece
1219
India India
1
Ireland Ireland
14028
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
304
Singapore Singapore
8959907
Spain Spain
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
531235
United Kingdom United Kingdom
265922
United States United States
8959906
Unknown Country Unknown Country
531234

Downloads

France France
28055
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
1542312
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
20857456
Unknown Country Unknown Country
3

Files

File Size Format Downloads
Galiy_05039.pdf 594.55 kB Adobe PDF 22427830

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.