Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72434
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Electrical Сharacterization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions |
Other Titles |
Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів |
Authors |
Mahmood, Ahmed
Jabbar, Waheb A. Hashim, Yasir Manap, Hadi Bin |
ORCID | |
Keywords |
Ge- FinFET channel dimensions ION/IOFF ratio subthreshold swing MuGFET розміри каналів ION/IOFF відношення підпорогове коливання |
Type | Article |
Date of Issue | 2019 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72434 |
Publisher | Sumy State University |
License | |
Citation | Electrical Сharacterization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions [Текст] / A. Mahmood, Waheb A. Jabbar, Yasir Hashim [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2019. – Т.11, № 1. – 01011(5cc). - DOI: 10.21272/jnep.11(1).01011. |
Abstract |
Nano-electronic applications have benefited enormously from the great advancement in the emerging Nano-technology industry. The tremendous downscaling of the transistors’ dimensions has enabled the placement of over 100 million transistors on a single chip thus reduced cost, increased functionality and enhanced performance of integrated circuits (ICs). However, reducing size of the conventional planar transistors would be exceptionally challenging due to leakages electrostatics and other fabrication issues. Fin Field Effect Transistor (FinFET) shows a great potential in scalability and manufacturability as a promising candidate and a successor to conventional planar devices in nanoscale technologies. The structure of FinFET provides superior electrical control over the channel conduction, thus it has attracted widespread interest of researchers in both academia and industry. However, aggressively scaling down of channel dimensions, will degrade the overall performance due to detrimental short channel effects. In this paper, we investigate the impact of downscaling of nano-channel dimensions of Germanium Fin Feld Effect Transistor (Ge-FinFET) on electrical characteristics of the transistor, namely; ION/IOFF ratio, Subthreshold Swing (SS), Threshold voltage (VT), and Drain-induced barrier lowering (DIBL). MuGFET simulation tool was utilized to conduct a simulation study to achieve optimal channel dimensions by considering channel length (L), width (W), and oxide thickness (TOX) individually. In addition, the effects of simultaneous consideration of all dimensions by exploiting a scaling factor, K was evaluated. According to the obtained simulation results, the best performance of Ge-FinFET was achieved at a minimal scaling factor, K 0.25 with 5 nm channel length, 2.5 nm width, and 0.625 nm oxide thickness. Застосування наноелектронних приладів надзвичайно виграло від стрімкого прогресу в галузі нанотехнологій. Колосальне зменшення розмірів транзисторів дозволило розмістити більше 100 млн транзисторів на одному чіпі, що, в свою чергу, призвело до зниження витрат, збільшення функціональності та підвищення продуктивністі інтегральних мікросхем. Проте, зменшення розміру звичайних планарних транзисторів було б надзвичайно складним через електростатичні втрати та інші виробничі питання. Польовий транзистор Fin Field Effect Transistor (FinFET) показує великий потенціал у масштабованості та технологічності як перспективний кандидат та наступник звичайних планарнихпристроїв у нанотехнологіях. Структура FinFET забезпечує чудовий електричний контроль над провідністю каналів, і, таким чином, привертає широкий інтерес дослідників як з наукової, так і з прикладної точок зору. Однак різке зменшення розмірів каналів призводить до погіршення загальної продуктивності за рахунок шкідливих ефектів короткого каналу. У даній роботі досліджено вплив зменшення розмірів каналів транзистора з германію (Ge-FinFET) на електричні характеристики транзистора, а саме на відношення ION/IOFF, підпорогове коливання, порогову напругу та індуковане стоком зниження бар’єру. MuGFET був використаний у моделюванні для досягнення оптимальних розмірів каналу, враховуючи індивідуальну довжину каналу, ширину і товщину оксиду. Крім того, були оцінені ефекти одночасного розгляду усіх вимірів, використовуючи коефіцієнт масштабування. Згідно з отриманими результатами моделювання, найкраща продуктивність Ge-FinFET була досягнена за мінімального коефіцієнта масштабування K 0.25 з довжиною каналу 5 нм, шириною 2.5 нм і товщиною оксиду 0.625 нм. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Algeria
26
China
1801215835
Egypt
1
Germany
1
Greece
1
India
17500774
Indonesia
1
Iran
1
Iraq
1
Ireland
3100515
Japan
1
Lithuania
1
Malaysia
-1455326963
Mongolia
1
South Korea
150754772
Taiwan
92878160
Turkey
1
Ukraine
600771285
United Kingdom
300411553
United States
2147357331
Unknown Country
600771284
Vietnam
25911
Downloads
Algeria
27
China
1
Egypt
1
Germany
1
India
1
Iran
864
Iraq
1419820163
Ireland
1
Italy
1
Japan
1
Lithuania
1
Malaysia
-1455326962
South Korea
13820
Taiwan
1
Ukraine
600771286
United Kingdom
1
United States
-1420072797
Unknown Country
16
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Jabbar_jnep_11_1_01011.pdf | 361.44 kB | Adobe PDF | -854793572 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.