Просторовий перерозподіл міжвузлових атомів та вакансій у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення

Abstract

Розроблено теорію самоузгодженого деформаційно-дифузійного перерозподілу точкових дефектів (міжвузлових атомів та вакансій) у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення. Ця теорія враховує дифузію дефектів у неоднорідно-деформованому полі (створеному як наявністю самих дефектів, так і градієнтом температури) та нелокальну взаємодію між дефектами та атомами матриці. Встановлено, що залежно від інтенсивності лазерного опромінення, температури підкладки та характерної відстані дії лазерного променя на поверхні напівпровідника чи в його глибині можуть формуватися самоорганізовані наноструктури точкових дефектів. Проведені теоретичні розрахунки добре узгоджуються з експериментальними даними інших наукових робіт.

The theory of self-consistent deformation-diffusion redistribution of dot defects (interstitial atoms and vacancies) in semiconductors under the influence of pulsed laser irradiation is developed. This theory takes into account the diffusion of defects in nonuniformly deformed field (created both by the presence of defects itself and by a gradient of temperature) and non-local interaction between defects and atoms of the matrix. It is established that depending on the intensity of laser irradiation, the temperature of the substrate and the characteristic distance of action of the laser beam, on the surface of the semiconductor or in its depth, self-organized nanostructures of dot defects can be formed. The conducted theoretical calculations are well consistent with the experimental data of other scientific papers.