Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74984
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Analytical Estimation of Recombination Current of Sharp Asymmetric p-n Junction
Other Titles Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу
Authors Galat, A.B.
Donchenko, A.L.
ORCID
Keywords рекомбінація через пастки
струм рекомбінації
коефіцієнт ідеальності
диференційний коефіцієнт ідеальності
фотоперетворювач
похибка розрахунку
recombination through traps
current of recombination
coefficient of ideality
differential coefficient of ideality
photoelectric converter
errors of calculation
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74984
Publisher Sumy State University
License
Citation Galat, A.B. Analytical Estimation of Recombination Current of Sharp Asymmetric p-n Junction [Текст] = Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу / A.B. Galat, A.L. Donchenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 5. - 05005. - DOI: 10.21272/jnep.11(5).05005.
Abstract При моделюванні асиметричного p-n переходу високолегована область в наближенні малих струмів не впливає на розподіл носіїв в низьколегованої області, в якій зосереджений весь об'ємний заряд. У даній роботі проведена аналітична оцінка струму рекомбінації через пастки в області просторового заряду і в квазинейтральной області. Для отримання аналітичного уявлення застосовується наближення лінійності розподілу потенціалу в околиці перетину максимальної рекомбінації. Запропоновано методику аналітичної оцінки інтеграла питомої об'ємної швидкості рекомбінації по області просторового заряду, що не береться через елементарні функції. Підтверджено можливість підвищення точності аналітичної оцінки рекомбінаційного струму через пастки в області просторового заряду. Визначено диференційний коефіцієнт ідеальності і проаналізована його динаміка в залежності від напруги на переході. Виконано порівняльний аналіз наступних оцінок струму рекомбінації: струм рекомбінації в області просторового заряду за елементарної оцінки, дифузний струм з низьколегованої квазинейтральной області, струм рекомбінації через пастки в квазинейтральной області, струм у разі лінійної апроксимації потенціалу в області максимальної рекомбінації через аналітичний інтеграл, реальний струм рекомбінації. Наведено аналіз похибки розрахунку струму рекомбінації від рівня легування слаболегірованних області і прикладеної напруги. З наведених даних видно, що оцінка похибки розрахунку струму через аналітичний інтеграл не перевищує 10 % що цілком достатньо для її застосування при моделюванні струму рекомбінації більшості силових напівпровідникових приладів.
When simulating an asymmetric p-n junction, the high-alloyed region in the approximation of small currents does not affect the distribution of carriers in the low-alloyed region, in which the entire volume charge is concentrated. In this paper, an analytical estimate of the recombination current through traps in the space charge region and in the quasi-neutral region was made. To obtain an analytical representation, an approximation of the linearity of the potential distribution in the vicinity of the maximum recombination cross section is used. A method is proposed to analytically estimate the integral of the specific volume recombination rate over a region of the space charge that cannot be taken through elementary functions. The possibility of increasing the accuracy of the analytical estimate of the recombination current through traps in the space charge region was confirmed. The differential ideality coefficient is determined and its dynamics is analyzed depending on the voltage at the junction. Comparative analysis of the following recombination current estimates was made: the recombination current in the space charge region by elementary estimate, the diffusion current from the low-alloyed quasi-neutral region, the recombination current through traps in the quasi-neutral region, the current in the case of a linear approximation of the potential in the region of maximum recombination through the analytical integral, the real recombination current. An analysis of the error in the calculation of the recombination current from the doping level of the low-doped region and the applied voltage is presented. From the above data it can be seen that the error estimate for calculating the current through the analytical integral does not exceed 10 %, which is quite enough for its use in simulating the recombination current of most power semiconductor devices.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Germany Germany
1
Greece Greece
1
Ireland Ireland
1798
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
12229
United Kingdom United Kingdom
6234
United States United States
135487
Unknown Country Unknown Country
168460
Vietnam Vietnam
479

Downloads

India India
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
36567
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
102514
Unknown Country Unknown Country
5
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Galat_jnep_5_2019.pdf 579.22 kB Adobe PDF 139090

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.