Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75055
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Synthesis and Characterization of Cu Doped ZnS Thin Films Deposited by Spin Coating
Other Titles Синтез та характеристики тонких плівок ZnS, легованих Cu, осаджених методом центрифугування
Authors Choudapur, V.H.
Kapatkar, S.B.
Raju, A.B.
ORCID
Keywords метод центрифугування
гідротермальний метод
електричний опір
тонкі плівки ZnS леговані Cu
spin coating
hydrothermal method
electrical resistivity
Cu doped ZnS thin films
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75055
Publisher Sumy State University
License
Citation Choudapur, V.H. Synthesis and Characterization of Cu Doped ZnS Thin Films Deposited by Spin Coating [Текст] = Електричні властивості нанокристалів поруватого кремнію в діелектричній матриці / V.H. Choudapur, S.B. Kapatkar, A.B. Raju // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 5. - 05017. - DOI: 10.21272/jnep.11(5).05017.
Abstract Тонкі плівки чистого ZnS та ZnS, легованого міддю, виготовлені методом центрифугування. Наночастинки синтезуються гідротермальним методом, використовуючи недорогі вихідні хімікати та демінералізовану воду як розчинник. Результати для сульфіду цинку, легованого Cu, порівнюються з результатами нелегованого сульфіду цинку. Отримані однорідні та провідні тонкі плівки з великим значенням ширини забороненої зони. Графіки поглинання в ультрафіолетовому та видимому діапазонах використовувались для оцінки значень ширини забороненої зони. Аналіз рентгенівських досліджень підтверджує успішне додавання атомів Cu в решітку сульфіду цинку до 6 % без зміни позицій піків рентгенівської дифракції матриці. Однак на кристалічність впливає рівень легування Cu в ZnS через деформації решітки. XRD та EDS аналіз плівок підтверджує чистоту зразків. Зразки демонструють великі значення ширини забороненої зони, прозорість та електричний струм у діапазоні від 10 – 4 до 10 – 11 мА. Додавання атомів Cu до ZnS може змінювати ширину забороненої зони та провідні властивості. Такі плівки підходять для УФ-детекторів та інших оптоелектронних застосувань.
ZnS and copper doped zinc sulphide thin films are prepared through spin coating method. The nanoparticles are synthesized by hydrothermal method using low cost starting chemicals and demineralised water as solvent. The results of Cu doped zinc sulphide are compared with those of the undoped zinc sulphide. High band gap, uniform, and conducting thin films are obtained. The ultraviolet-visible absorption graphs were used to estimate the energy gap values. The XRD analysis verifies the successful addition of Cu atoms within the zinc sulphide lattice up to 6 % with no change in the host X-ray diffraction peak positions. However, the crystallinity is affected with Cu doping level in ZnS due to lattice strain. The XRD and EDS analysis of films confirm the purity of the samples. The films show high band gap, transparency, and electrical current in the range 10 – 4 to 10 – 11 mA. Adding Cu atoms to ZnS can tune the band gap and conducting properties. These are suitable for UV detectors and other optoelectronic applications.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Bangladesh Bangladesh
1
China China
1
France France
7206931
Germany Germany
53739072
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
166327478
Iraq Iraq
481913465
Ireland Ireland
14413862
Japan Japan
37890
Lithuania Lithuania
1
Morocco Morocco
1
Pakistan Pakistan
1
Singapore Singapore
166327479
South Korea South Korea
-464844494
Spain Spain
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
37884
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
59221
United Kingdom United Kingdom
2064815023
United States United States
133069791
Unknown Country Unknown Country
-464844495
Vietnam Vietnam
4209

Downloads

Australia Australia
1
Canada Canada
33296731
Germany Germany
1
India India
451613756
Japan Japan
1
Latvia Latvia
1
Lithuania Lithuania
1
Nigeria Nigeria
133069791
Peru Peru
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
140322
Singapore Singapore
1
Spain Spain
66554418
Taiwan Taiwan
1
Turkey Turkey
33296732
Ukraine Ukraine
1894357127
United Kingdom United Kingdom
2104
United States United States
-464844496
Unknown Country Unknown Country
451613755
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Choudapur_jnep_5_2019.pdf 620.66 kB Adobe PDF -1695867047

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.