Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75179
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Physics and Technology of Heterosystems with Films of Germanium and Germanium with Gallium |
Other Titles |
Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм |
Authors |
Venger, Ye.
Kolyadina, O. Holevchuk, V. Matveeva, L. Matiyuk, I. Mitin, V. |
ORCID | |
Keywords |
гетероепітаксія внутрішні механічні напруження поглинання і електровідбивання світла зонна структура електронні параметри плівок і підкладки heteroepitaxy internal mechanical stresses absorption and electroreflectance band structure electronic parameters of the films and substrate |
Type | Article |
Date of Issue | 2019 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75179 |
Publisher | Sumy State University |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Physics and Technology of Heterosystems with Films of Germanium and Germanium with Gallium [Текст] = Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм / Ye. Venger, O. Kolyadina, V. Holevchuk [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 5. - 05029. - DOI: 10.21272/jnep.11(5).05029. |
Abstract |
Термічним осадженням у вакуумі на підкладках арсеніду галію отримані тонкі плівки германію і германію з 1,05 % галію. Товщина плівок була 1 мкм, товщина підкладок 300 мкм, швидкість росту плівок була 1,75 Å/с. Дослідження проведені методами профілографії поверхні плівок, спектроскопії поглинання і електровідбивання світла. В плівках і на межі поділу визначали ширину забороненої зони, параметри уширення спектру, час енергетичної релаксації збуджених світлом носіїв заряду і механічні напруження. Виявлено додаткову межу поділу германій-галій. Напруження розтягу на ній 6,8·108 Па були більшими напружень стиснення 2,6·108 Па на межі поділу плівка-підкладка. Thin films of germanium and germanium with 1.05 % gallium are prepared by thermal deposition in vacuum on gallium arsenide substrates. The thickness of the films was 1 µm, the thickness of the substrates was 300 µm, the growth rate of the films was 1.75 Å/s. The studies were carried out by methods of profilography of the film surface, absorption spectroscopy and electroreflectance of light. In the films and at the interface, the band gap, the spectral broadening parameters, the energy relaxation time of the lightexcited charge carriers, and the mechanical stresses were determined. The additional germanium-gallium interface boundary has been identified. The tensile stresses 6.8·108 Pa on it were greater than the compressive stresses 2.6·108 Pa at the film-substrate interface. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

333845

1

1

1

1

1850

1

42242

1

925

1

1

14088

7084

1412130

14087

322
Downloads

1

1

42224

1

997676

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Venger_jnep_5_2019.pdf | 387.8 kB | Adobe PDF | 1039904 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.