Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75370
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title The Temperature Dependence of the Quadratic Proportionality Factor of P Diffusivity in Germanium with the Free Electron Density
Other Titles Температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії фосфору в германій із вільними електронами
Authors Souigat, A.
Bechki, M.K.
Slimani, D.
ORCID
Keywords фосфор
дифузія
коефіцієнт пропорційності
германій
phosphorus
diffusion
proportionality factor
germanium
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75370
Publisher Sumy State University
License
Citation Souigat, A. The Temperature Dependence of the Quadratic Proportionality Factor of P Diffusivity in Germanium with the Free Electron Density [Текст] = Температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії фосфору в германій із вільними електронами / A. Souigat, M.K. Bechki, D. Slimani // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т.11, № 6. - 06006. - DOI: 10.21272/jnep.11(6).06006.
Abstract Висока внутрішня мобільність носіїв, невелика заборонена зона для германію та можлива монолітна інтеграція з пристроями на основі Si спонукали відновити інтерес до германію у продовженні історичного прогресу пристроїв CMOS. Для отримання ефективних електронних пристроїв на основі германію необхідно зрозуміти дифузію домішки у цьому напівпровіднику. До цього часу, дифузія домішок n-типу в германії моделювалася, головним чином, дифузією, пропорційною квадрату концентрації вільних електронів (n). У дослідженні вивчається температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії Р від концентрації вільних електронів шляхом моделювання експериментальних профілів дифузії Р у діапазоні температур від 650 до 870 °С. Точне моделювання досягається у цьому температурному діапазоні з урахуванням квадратичної пропорційності між дифузійною рухливістю атомів фосфору та концентрацією вільних електронів.
High intrinsic carrier mobility, small band gap for germanium and possible monolithic integration with Si based devices have prompted renewed interest in germanium to continue the historic progress of CMOS devices. To obtain efficient germanium-based electronic devices, it is necessary to understand the dopant diffusion in this semiconductor. Up to now, n-type dopant diffusion in germanium at most is modeled by diffusivity proportional to the square of the free electron density (n). This study determines the temperature dependence of the quadratic proportionality factor of the P diffusivity with the free electron density, through simulations of experimental P diffusion profiles in the temperature range from 650 to 870 °C. Accurate simulation is achieved within that temperature range, taking into account the quadratic proportionality between the phosphorus diffusivity and the free electron density.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
2559605
Germany Germany
14200
Greece Greece
682
Ireland Ireland
8299
Lithuania Lithuania
1
Mongolia Mongolia
1
Romania Romania
1
Singapore Singapore
6373010
Ukraine Ukraine
150897
United Kingdom United Kingdom
75619
United States United States
12746025
Unknown Country Unknown Country
150896

Downloads

Algeria Algeria
340
China China
3412807
France France
683
Greece Greece
1
India India
1
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
452605
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
12746022
Unknown Country Unknown Country
2

Files

File Size Format Downloads
Souigat_jnep_6_2019.pdf 304.68 kB Adobe PDF 16612465

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.