Визначення параметрів спін-залежного розсіювання у тришарових структурах спін-вентильного типу

Abstract

Мета кваліфікаційної роботи магістра полягає в аналізі теоретичних моделей, які використовуються для опису явища гіганського магнітоопору у магнітних наноструктурах з спін-залежним розсіюванням електронів, зокрема, у структурах спін-вентильного типу та визначення параметрів спін-залежного розсіювання. У результаті проведених розрахунків параметрів спін-залежного розсіювання для двох серій спін-вентильних структур: І – системи Co(5)/Ag(dAg)/Py(30)/П (dAg = 3-15 нм); ІІ – системи Co(30)/Ag(dAg)/Py(5)/П (dAg = 3-15 нм) установлено, що параметр об’ємної асиметрії змінюється у межах від 1,03 до 1,15 для систем І типу та від 1,17 до 2,06 для систем ІІ типу; параметр спінової асиметрії змінюється у межах від 0,01 до 0,07 для систем І типу та від 0,08 до 0,34 для систем ІІ типу. Величина питомого опору мажоритарних носіїв заряду дорівнює величині питомого опору немагнітного шару, в той час як питомий опір мінітарних носіїв заряду залежить від товщини базового магнітного шару.