Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77123
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Effect of Top Electrode Materials on Switching Characteristics and Endurance Properties of Zinc Oxide Based RRAM Device |
Other Titles |
Вплив матеріалів верхнього електрода на комутаційні характеристики та властивості витривалості пристрою RRAM на основі оксиду цинку |
Authors |
Gupta, Chandra Prakash
Jain, Praveen K. Chand, Umesh Sharma, Shashi Kant Birla, Shilpi Sancheti, Sandeep |
ORCID | |
Keywords |
RRAM комутаційні характеристики верхній електрод ZnO switching characteristics top electrode |
Type | Article |
Date of Issue | 2020 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77123 |
Publisher | Sumy State University |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Effect of Top Electrode Materials on Switching Characteristics and Endurance Properties of Zinc Oxide Based RRAM Device [Текст] / Chandra Prakash Gupta, Praveen K. Jain, Umesh Chand [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 1. – 01007. – DOI: 10.21272/jnep.12(1).01007. |
Abstract |
У роботі повідомляється про вплив матеріалів верхнього електрода, тобто Al, Ag та Ti, на комутаційні характеристики резистивних пристроїв пам'яті з випадковим доступом (RRAM) на основі тонкої плівки оксиду цинку (ZnO). Пристрої RRAM зі структурою електрода Si/Pt/Ti/ZnO/Top (Al або Ag або Ti) були успішно виготовлені, і були виміряні їх комутаційні характеристики. Структурні властивості тонкої плівки оксиду металу ZnO вивчалися з використанням рентгенівського дифрактометра (XRD), атомно-силової мікроскопії (AFM) та скануючого електронного мікроскопа (SEM). Комутаційні характеристики виготовлених пристроїв визначали за допомогою кривих I-V, які отримували за допомогою напівпровідникового аналізатора параметрів. Було помічено, що виготовлені пристрої виявляли біполярні властивості. Структура Si/Pt/Ti/ZnO/Ag показала найкращу витривалість до 10^3 циклів. Крім того, вимірювання утримуючих властивостей при кімнатній температурі проводилося також для структурованого пристрою Si/Pt/Ti/ZnO/Ag, що підтверджує енергонезалежні властивості вироблених пристроїв. Співвідношення станів низького опору (LRS) та високого опору (HRS) було встановлено максимальним для верхнього електрода Ag до 10^2. Помічено, що струми LRS та HRS пристрою не погіршуються до 10^4 с. This work reports the effect of top electrode materials, i.e., Al, Ag, and Ti on the switching characteristics of resistive random access memory (RRAM) devices based on zinc oxide (ZnO) thin film. The RRAM devices with Si/Pt/Ti/ZnO/Top electrode (Al or Ag or Ti) structure were successfully fabricated, and their switching characteristics were measured. The structural properties of ZnO metal oxide thin film were studied using X-ray diffractometer (XRD), atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscope (SEM). The switching characteristics of the fabricated devices were measured with the help of I-V curves, which were measured using semiconductor parameter analyzer. It has been observed that the manufactured devices have exhibited bipolar properties. The Si/Pt/Ti/ZnO/Ag structure has shown the best endurance up to 10^3 cycles. Further, the measurement of retention properties at room temperature was also done for Si/Pt/Ti/ZnO/Ag structured device, which confirms the non-volatile properties of the obtained devices. The ratio of low resistance state (LRS) and high resistance state (HRS) was found maximum for Ag top electrode up to 10^2. It has been observed that LRS and HRS currents of the device do not degrade up to 10^4 s. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

574470670

2137584909

3

-1659858212

388229851

1

1

-206659415

1435640110

1

29635

1

-1669270864

-1975633624

1

283795265

151286

1096953364

283795266

1378869025

206262
Downloads

2137584908

206260

1

-660056198

283795267

1

6571318

1

1

1491797786

71959

145213

1

2137584907

2068303537

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Gupta_jnep_2020_1.pdf | 745.5 kB | Adobe PDF | -1123929629 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.