Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78241
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Characterization of Spin Coated Tin Oxide Thin Films for Optoelectronic Applications |
Other Titles |
Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань |
Authors |
Maache, M.
Chala, A. Devers, T. |
ORCID | |
Keywords |
SnO2 золь-гель спінове покриття провідність оптоелектронний sol-gel spin coating conductivity optoelectronic |
Type | Article |
Date of Issue | 2020 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78241 |
Publisher | Sumy State University |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Maache, M. Characterization of Spin Coated Tin Oxide Thin Films for Optoelectronic Applications [Текст] / M. Maache, A. Chala, T. Devers // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 3. – 03010. – DOI: 10.21272/jnep.12(3).03010. |
Abstract |
Золь-гелеву техніку застосовували для отримання тонких плівок чистого оксиду олова (SnO2). Плівки вирощували при кімнатній температурі на чистих скляних підкладках методом центрифугування. Дигідрат хлористого олова (II) використовували як вихідний матеріал, а 2-пропанол – як розчинник. Молярність олова зберігалася [Sn2+] = 0.3 M. На мікрофотографіях SEM опрацьованих плівок видно, що вони складаються із дуже дрібнозернистих частинок. XRD аналіз виявляє, що всі відпалені плівки складаються з однофазного SnO2, дифрактограми вказують на наявність піків (100), (101), (211), що відповідають тетрагональній фазі без будь-яких вторинних фаз. Зображення скануючої електронної мікроскопії та атомно-силової мікроскопії показують еволюцію різних поверхневих морфологій; усі плівки мають однорідну та рівномірну морфологію поверхні. Просвічуюча електронна мікроскопія підтверджує, що підготовлені плівки є нанокристалічними. Крім того, досліджується вплив багатошарового покриття на оптоелектронні властивості тонких плівок SnO2. У видимій області пропускна здатність перевищує 85 %. Питомий опір тонких плівок SnO2 значно зменшується з товщиною. Орієнтовне максимальне значення провідності становить 2.72 (Ω.см) – 1. Sol-gel technique was operated to obtain pure tin oxide (SnO2) thin films. The films were grown at room temperature on clean glass substrates by a spin coating method. Tin (II) chloride dehydrate was used as a starting material, and 2-propanol was used as the solvent. Tin molarity was kept [Sn2+] = 0.3 M. The SEM micrographs of the elaborated films show that they are composed of very fine-grained microstructure of SnO2. XRD analysis reveals that all annealed films consist of single phase SnO2, the diffractograms indicate the presence of (100), (101), (211) peaks corresponding to the tetragonal phase without any secondary phases. The scanning electron microscopy and the atomic force microscopy images show the evolution of the different surface morphologies; all films have homogeneous and uniform surface morphology. The transmission electron microscopy measurements confirm that the prepared films are nanocrystalline. Furthermore, the influence of multiple coating on the optoelectronic properties of SnO2 thin films is examined. In the visible region, the transmittance is greater than 85 %. The resistivity of SnO2 thin films decreases significantly with the thickness. The estimated maximum value of conductivity is 2.72 (Ω.cm) – 1. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

10149685

1

1

960106761

1

1

64

6728

1

1683

261010661

1

1

1

1

1

1

26696603

3733571

1810423758

-1196141106

62
Downloads

1473802647

1

1

-1793772879

1

1

261010662

1473802646

1

1810423757

1

1

1473802652

1

6729

1

1

1473802646

1

78135384

1

522021322

1954374

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Maache_jnep_3_2020.pdf | 651.63 kB | Adobe PDF | -1814944639 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.