Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80509
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title The Influence of Technological Factors on Photoconverters Electrophysical Characteristics
Other Titles Вплив технологічних факторів на електрофізичні характеристики фотоперетворювачів
Authors Nikonova, A.A.
Nebesniuk, O.Y.
Nikonova, Z.A.
ORCID
Keywords технологія
прозорі покриття, що просвітлюють
фотоелектричні перетворювачі
кремнієві структури
гетеропереходи
параметри
характеристики
technology
porous anti-reflective layers
photoelectric converters
silicon structures
heterojunctions
parameters characteristics
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80509
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Nikonova, A.A. The Influence of Technological Factors on Photoconverters Electrophysical Characteristics [Текст] / A.A. Nikonova, O.Y. Nebesniuk, Z.A. Nikonova // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 5. – 05012. – DOI: 10.21272/jnep.12(5).05012.
Abstract Сонячна енергетика представляє розумну альтернативу використанню теплових, хімічних та ядерних джерел струму. За своїм енергетичним ресурсом сонячне випромінювання цілком здатне задовольнити зростаючі потреби людства. Актуальною проблемою в даний час є розробка і виготовлення високоефективних та економічних фотоперетворювачів (ФП) з достатньою радіаційною стійкістю. У зв'язку з цим потрібні нові технології і матеріали. Завдяки високій ефективності, температурній стабільності та малій чутливості до радіаційного опромінення ФП на основі гетероструктур є найбільш перспективними для використання. У статті запропонована технологія виготовлення ФП на основі кремнієвих структур з гетеропереходами типу ITO/n-Si/n+-Si. Отримання цих шарів методом пульверизації на поверхні кремнієвих пластин спирається на результати визначення оптимальних значень температури нагріву, швидкості осадження і течії газового струменя з сопла пульверизатора, товщини шару ITO, концентрації InCl3 до SnCl4 в спиртовому розчині, а також інших факторів. Виявлені технологічні особливості отримання цих шарів методом пульверизації дозволяють поліпшити електрофізичні характеристики ФП, їх надійність при експлуатації і коефіцієнт корисної дії.
Solar energy represents a sensible alternative to the use of thermal, chemical and nuclear power sources. Solar radiation can satisfy the growing needs of humanity with its energetic resources. Nowadays the actual problem is the development and production of highly effective and economical photoconverters (PCs). Thus, we need new technologies and materials. Due to their high efficiency, temperature stability, and low sensitivity to radiation exposure, heterostructure-based PCs are the most promising for the use. In the article, the technology of PC production on the base of silicon structures with ITO/n-Si/n+-Si heterojunctions is proposed. Preparation of these layers by spraying method on the surface of silicon plates is based on the results of the determination of the optimal values of heating temperature, deposition rate, velocity of gas flow from the spray nozzle, ITO layer thickness, concentration of InCl3 to SnCl4 in alcohol solution, and other factors. The technological peculiarities of producing these layers by spraying method and their influence on PC electrophysical characteristics, operational reliability and efficiency are revealed.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
386
France France
1
Germany Germany
1
Greece Greece
1
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
5659
Lithuania Lithuania
1
Peru Peru
1
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
850219
United Kingdom United Kingdom
114891
United States United States
7168317
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
851

Downloads

Algeria Algeria
1
Canada Canada
3280250
China China
4252264
France France
1
Germany Germany
850212
Ireland Ireland
12633
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
6196303
Ukraine Ukraine
850220
United Kingdom United Kingdom
114892
United States United States
6196301
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Nikonova_jnep_5_2020.pdf 499.2 kB Adobe PDF 21753080

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.