Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80533
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Thermoelectric Properties of InSb Whiskers |
Other Titles |
Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів InSb |
Authors |
Druzhinin, A.A.
Ostrovskii, I.P. Khoverko, Yu.M. Liakh-Kaguy, N.S. |
ORCID | |
Keywords |
ниткоподібні кристали InSb термо-ерс теплопровідність термоелектрична добротність whiskers thermo-emf thermal conductivity figure of merit |
Type | Article |
Date of Issue | 2020 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80533 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | Thermoelectric Properties of InSb Whiskers [Текст] / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, N.S. Liakh-Kaguy // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 5. – 05017. – DOI: 10.21272/jnep.12(5).05017. |
Abstract |
У статті розглядаються термоелектричні параметри ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією олова близько 4,4·1018 см – 3 в інтервалі температур 4,2-300 К. Температурні залежності опору кристалів та коефіцієнта Зеебека вимірювали експериментально. Встановлено, що ниткоподібні кристали
InSb мають досить високі значення коефіцієнта Зеебека, що перевищують значення масивних зразків
у 2-3 рази. При використанні спеціально розробленого методу передачі тепла у зростках ниткоподібних кристалів проведено моделювання їх теплопровідності. Отримане плече на температурній залежності теплопровідності ниткоподібних кристалів та нанодротів InSb в області близько 100 К, що пов'язане з явищем фононного захоплення носіїв заряду, свідчить про надійність отриманих даних. У результаті була розрахована температурна залежність параметра ZT ниткоподібних кристалів InSb в інтервалі температур 4,2-300 K. Отримане значення параметра ZT 0,15 при кімнатній температурі вказує на можливість використання ниткоподібних кристалів для створення термоперетворювачів. The article deals with studies of thermoelectric parameters of InSb whiskers with tin concentration of about 4.4·1018 cm – 3 in the temperature range 4.2-300 K. The resistance and Seebeck coefficient were measured experimentally. The InSb whiskers have shown rather high values of Seebeck coefficient exceeding the values of bulk materials by 2-3 times. Using a special method of heat transfer in the whisker joints, the thermal conductivity of the whisker was simulated. The obtained threshold on the temperature dependence of thermal conductivity for InSb whiskers and nanowires in the range of about 100 K connecting with phonon capture of charge carriers indicates high reliability of the data obtained. As a result, ZT parameter of InSb whiskers versus temperature in the temperature range 4.2-300 K was calculated. The obtained value of ZT parameter 0.15 at room temperature indicates a possibility of the whisker use for thermal converters design. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
China
1
Greece
1
Hong Kong SAR China
1
India
40848972
Ireland
48272
Japan
1939266
Lithuania
1
Portugal
1
Ukraine
3878281
United Kingdom
295954
United States
40848974
Unknown Country
1
Downloads
Belgium
1
China
28525402
France
1
Germany
295955
Ireland
1
Japan
1939267
Lithuania
1
Singapore
1
Switzerland
28525402
Ukraine
22363622
United Kingdom
1
United States
34687188
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Druzhinin_jnep_5_2020.pdf | 296.15 kB | Adobe PDF | 116336842 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.