Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81200
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Simulation and Performance Analysis of a Triple-material Gate GAA SNSTFT
Other Titles Моделювання та аналіз продуктивності транзисторів GAA SNSTFT із затвором з потрійним матеріалом
Authors Sampson, Jenyfal
Sivakumar, P.
Velmurugan, S.P.
ORCID
Keywords затвор з потрійним матеріалом (TM)
SNS GAATFT
робота виходу
електричний потенціал
затвор з одинарним матеріалом (SM)
triple material (TM) gate
work function
electric potentia
single material (SM) gate
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81200
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Jenyfal Sampson, P. Sivakumar, S.P. Velmurugan, J. Nano- Electron. Phys. 12 No 6, 06006 (2020). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06006
Abstract У роботі запропоновано до розгляду транзистор SNS GAATFT з потрійним матеріалом (TM). TM тонкоплівкового транзистора (TFT) варіюється шляхом застосування трьох різних робіт виходу за рахунок використання різних матеріалів затворів. Транзистор, розглянутий у роботі, є р-канальним пристроєм. Аналіз проведено з використанням фізичної моделі – температурної залежності переносу носіїв заряду (DD). Модель мобільності (MM) включає ефекти концентрації легування та електричного поля, модель звуження забороненої зони (BNM) та модель рекомбінації Шоклі-Ріда-Холла (SRM) стосуються тривалості життя носія. Програмний продукт Synopsys Sentaurus TCAD був використаний для моделювання запропонованої моделі та аналізу її характеристик. Характеристики запропонованої моделі з TM були порівняні з характеристиками запропонованої раніше моделі SNS GAATFT з одинарним матеріалом (SM). Для запропонованої моделі перша та третя роботи виходу (WFs) підтримувались незмінними, тоді як WF середньої області варіювалася між першою та третьою WFs. Проаналізовані вихідні характеристики довели кращий результат для значень WF, найближчих до третьої WF. Таким чином, для визначення різних характеристик було використано більш високе значення середньої WF. З аналізу характеристик видно, що внаслідок різних електричних потенціалів на електроді затвору через різні WF, вплив швидкісного електрона, що рухається, зменшується з боку джерела, і це сприяє підвищенню ефективності переносу носіїв заряду і, отже, в свою чергу, допомагає зменшити ефекти гарячих носіїв. Результат порівняння показує, що струм стоку в моделі TM виявляється майже в 4 рази вищим, ніж в моделі SM, яка показує більше покращення струму ION.
A Stacked Nano Sheet Gate All Around Thin Film Transistor (SNS GAATFT) with Triple Material (TM) has been proposed in this paper. The TM of the Thin Film Transistor (TFT) is varied by applying three different work functions (WFs) by having different gate materials being used. The transistor considered here for implementation is a p-channel device. The analysis has been carried out using the physical model: temperature-dependent carrier transport model (DD). Mobility Model (MM) includes the effects of doping concentration and electric field, Bandgap Narrowing Model (BNM) and Shockley-Read-Hall recombination Model (SRM) are for carrier lifetime. Synopsys Sentaurus TCAD has been used for the simulation of the proposed model and thus analyzing its characteristics. The characteristics of the proposed TM have been compared to those of the previously proposed Single Material (SM) SNS GAATFT model. For the proposed model, the first and third WFs were kept constant while the WF of the middle region varied between the first and third WFs. The output characteristics analyzed proved a better result for WF values closest to the third WF. Thus, a higher value of the middle WF was used in determining the different characteristics. From the characteristics it can be analyzed that due to varying electric potentials on the gate terminal due to varying WF, the influence of high-speed moving electron is reduced from the source side, and this helps in improving the carrier transport efficiency and thus, it is clear, this, in turn, helps in lowering the hot carrier effects. The comparison result shows that drain current in a TM is found to be almost 4 times higher than that of a SM model which shows better improvement in ION current.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1779736363
Greece Greece
1
India India
90583700
Ireland Ireland
177987
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
1618334975
Taiwan Taiwan
663529
Ukraine Ukraine
1196655238
United Kingdom United Kingdom
151254143
United States United States
-735494831
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
2068

Downloads

China China
-735494830
Germany Germany
13958
India India
90583701
Ireland Ireland
663530
Lithuania Lithuania
1
Philippines Philippines
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
442397321
United Kingdom United Kingdom
151254144
United States United States
-735494830
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Jenyfal_Sampson_jnep_6_2020.pdf 344.24 kB Adobe PDF -786076999

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.