Спосіб підвищення якості тонких шарів в полікристалічних плівках Cu2ZnSnS4, отриманих безвакуумним методом спрей-піролізу

Шамардін, Артем Володимирович; Курбатов, Денис Ігорович; Д'яченко, О.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81604

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Спосіб підвищення якості тонких шарів в полікристалічних плівках Cu2ZnSnS4, отриманих безвакуумним методом спрей-піролізу
Authors	Shamardin, Artem Volodymyrovych Kurbatov, Denys Ihorovych Д'яченко, О.В.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-2754-6367
Keywords	полікристалічні плівки поликристаллические пленки polycrystalline films безвакуумний метод спрей-піролізу безвакуумний метод спрей-пиролиза vacuumless method of spray pyrolysis розчин прекурсору раствор прекурсора precursor solution
Type	Patent
Date of Issue	2020
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81604
Publisher	Міністерство розвитку економіки, торгівлі та сільського господарства України
License	Copyright not evaluated
Citation	Пат. 141172 U Україна, МПК B05D 5/12 (2006.01). Спосіб підвищення якості тонких шарів в полікристалічних плівках Cu2ZnSnS4, отриманих безвакуумним методом спрей-піролізу / А.В. Шамардін, Д.І. Курбатов, О.В. Д'яченко (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u201909186; заявл. 08.08.2019; опубл. 25.03.2020, бюл. № 6.
Abstract	Спосіб підвищення якості тонких шарів в полікристалічних плівках Cu2ZnSnS4, отриманих безвакуумним методом спрей-піролізу, який включає виготовлення розчину прекурсору, шляхом розчинення тіомочевини та хлоридів цинку, міді, олова у дистильованій воді, імпульсне розпилення його в атмосфері на розігріту підкладку, згідно з корисною моделлю після нанесення полікристалічних плівок Cu2ZnSnS4 проводять лазерне опромінення тонких шарів за допомогою другої гармоніки Nd:YAG лазера (=532 нм) з інтенсивністю лазерного випромінювання I=17,5 МВт/см2, швидкістю сканування поверхні зразка 1,6 10-4 м/с, сфокусованим лазерним променем з діаметром плями 1,510-3 м, часом імпульсу лазерного променя 4 нс та загальним часом сканування 5 хв.
Appears in Collections:	Патенти