Формирование многослойных пленочных структур с отрицательным термическим коэффициентом сопротивления и увеличенным коэффициентом тензочувствительности

Проценко, Сергей Иванович; Токмань, Валерий Васильевич; Чорноус, Анатолий Николаевич

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/819

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Формирование многослойных пленочных структур с отрицательным термическим коэффициентом сопротивления и увеличенным коэффициентом тензочувствительности
Authors	Protsenko, Serhii Ivanovych Tokman, Valerii Vasylovych Chornous, Anatolii Mykolaiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-8070-1610 http://orcid.org/0000-0002-5009-5445
Keywords	термический коэффициент сопротивления тензорезистивный эффект термічний коефіцієнт опору тензорезистивний ефект thermal coefficient of resistance effect of tensosensibility
Type	Article
Date of Issue	2002
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/819
Publisher	Воронежский государственный технический университет
License
Citation	Проценко, С.И. Формирование многослойных пленочных структур с отрицательным термическим коэффициентом сопротивления и увеличенным коэффициентом тензочувствительности [Текст] / С.И. Проценко, В.В. Токмань, А.Н. Чорноус // Вестник Воронежского государственного технического университета. Серия Материаловедение. - 2002. - Вып. 1.11. - С. 17-19.
Abstract	Представлены экспериментальные результаты исследования температурной зависимости термического коэффициента сопротивления (ТКС) пленочных систем на основе Ti, Ni и Cr, Ge. Отрицательное значение ТКС в первом случае связано с поглощением слоем Ti из остаточной атмосферы примесных газов, а во втором, скорее всего, с рекристаллизационными процессами в пленке Ge и взаимодействием между атомами Ge и Cr. Изучен тензорезистивный эффект в пленках на основе Cr, Ge и Cr, Sc. Проведено сравнение коэффициента продольной тензочувствительности однослойных и трехслойных пленок. Полученное отличие связано с вкладом а тензоэффект рассеивания электронов на границе раздела слоев При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/819
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)