Фотоелектричні властивості тонких напівпровідникових плівок Ge та Si

Abstract

Мета кваліфікаційної роботи магістра полягала у аналізі результатів та вивченні явища фотоефекту у тонких напівпровідникових плівках германію та кремнію, визначення чутливості плівкових зразків до дії зовнішнього опромінення у залежності від їх товщини. Під час виконання роботи використовувалися такі методи як термічне випаровування у вакуумі для одержання зразків, оптична інтерферометрія для визначення товщини та резистометрія для дослідження впливу опромінювання на величини опору плівок. В якості приладів використовувались установка ВУП-5М, інтерферометр МІІ-4, світлофотометр. У результаті проведених досліджень було проведено дослідження явища фотоефекту в тонких плівках Ge i Si та визначено коефіцієнт чутливості К, який показує як змінюється питомий опір зразка при зміні інтенсивності джерела випромінювання. Встановлено, що величина коефіцієнта К при зростанні товщини зменшується.