Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82212
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Noise induced effects at nano-structured thin films growth during deposition in plasma-condensate devices |
Other Titles |
Iндукованi шумом ефекти у процесах росту наноструктурованих тонких плiвок при осадженнi в системах плазма-конденсат |
Authors |
Kharchenko, Vasyl Olehovych
Dvornychenko, Alina Vasylivna Kharchenko, Dmytro Olehovych |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0002-0148-6001 http://orcid.org/0000-0003-4530-4262 |
Keywords |
стохастичнi системи нелiнiйна динамiка структуроутворення iндукованi шумом ефекти stochastic systems non-linear dynamics pattern formation fluctuation induced effects |
Type | Article |
Date of Issue | 2020 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82212 |
Publisher | Institute for Condensed Matter Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine |
License | Creative Commons Attribution 4.0 International License |
Citation | V.O. Kharchenko, A.V. Dvornichenko, D.O. Kharchenko. Noise induced effects at nano-structured thin films growth during deposition in plasma-condensate devices. Condensed Matter Physics, 2020, vol. 23, No. 3, 33001 |
Abstract |
У данiй роботi проводиться всебiчне дослiдження iндукованих шумом ефектiв у стохастичнiй моделi
реакцiйно-дифузiйного типу, що описує процес зростання наноструктурованих тонких плiвок при конденсацiї в системi плазма-конденсат. Вводиться зовнiшнiй потiк адсорбату мiж сусiднiми шарами, спричинений наявнiстю електричного поля бiля пiдкладки. Враховується, що напруженiсть електричного поля флуктуює навколо його середнього значення. Обговорюється конкуруючий вплив регулярної та стохастичної частин зовнiшнього потоку на динамiку системи. Показано, що введенi зовнiшнi флуктуацiї
здатнi iндукувати фазовий перехiд першого порядку в однорiднiй системi, керувати формуванням структур у просторово-розподiленiй системi. Такi флуктуацiї контролюють динамiку формування поверхневих структур, просторовий порядок, морфологiю поверхнi, закон зростання середнього розмiру островiв адсорбату, тип та лiнiйний розмiр поверхневих структур. Детально проаналiзовано вплив iнтенсивностi введених флуктуацiй на скейлiнговi та статистичнi властивостi наноструктурованої поверхнi. Отриманi результати забезпечують розумiння деталей iндукованих шумом ефектiв при формуваннi поверхневих нанорозмiрних структур у процесах конденсацiї в системах плазма-конденсат. We perform a comprehensive study of noise-induced effects in a stochastic model of reaction-diffusion type, describing nano-structured thin films growth at condensation. We introduce an external flux of adsorbate between neighbour monoatomic layers caused by the electrical field presence near substrate in plasma-condensate devices. We take into account that the strength of the electric field fluctuates around its mean value. We discuss a competing influence of the regular and stochastic parts of the external flux onto the dynamics of adsorptive system. It will be shown that the introduced fluctuations induce first-order phase transition in a homogeneous system, govern the pattern formation in a spatially extended system; these parts of the flux control the dynamics of the patterning, spatial order, morphology of the surface, growth law of the mean size of adsorbate islands, type and linear size of surface structures. The influence of the intensity of fluctuations onto scaling and statistical properties of the nano-structured surface is analysed in detail. This study provides an insight into the details of noise induced effects at pattern formation processes in anisotropic adsorptive systems. |
Appears in Collections: |
Наукові видання (ЕлІТ) |
Views
China
244
Germany
92166
Indonesia
1
Ireland
9833
Japan
1
Lithuania
1
Mongolia
1
Netherlands
73
Slovenia
1
Sweden
1
Ukraine
809843
United Kingdom
184334
United States
6295290
Unknown Country
1
Vietnam
591
Downloads
Canada
1
Germany
249
Indonesia
1
Ireland
1
Lithuania
1
Ukraine
809844
United Kingdom
1
United States
5198199
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Kharchenko_stochastic_systems.pdf | 4.64 MB | Adobe PDF | 6008298 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.