Спосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутенію

Чешко, Ірина Володимирівна; Логвинов, Андрій Миколайович; Костюк, Дмитро Миколайович; Шабельник, Юрій Михайлович; Ткач, Олена Петрівна; Проценко, Сергій Іванович

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83048

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Спосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутенію
Authors	Cheshko, Iryna Volodymyrivna Lohvynov, Andrii Mykolaiovych Kostiuk, Dmytro Mykolaiovych Shabelnyk, Yurii Mykhailovych Tkach, Olena Petrivna Protsenko, Serhii Ivanovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1585-6712 http://orcid.org/0000-0001-5496-3345 http://orcid.org/0000-0002-7516-5518 http://orcid.org/0000-0003-3207-2490 http://orcid.org/0000-0002-8070-1610
Keywords	рутеній рутений ruthenium формування графену формирования графена graphene formation тонка плівка тонкая пленка thin film
Type	Patent
Date of Issue	2020
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83048
Publisher	Український ін-т інтелектуальної власності
License	Copyright not evaluated
Citation	Пат. 144869 U Україна, C01B 32/184 (2017.01). Спосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутенію / І.В. Чешко, А.М. Логвинов, Д.М. Костюк та ін. (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u202003712; заявл. 19.06.2020; опубл. 26.10.2020, бюл. № 20.
Abstract	Спосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутенію включає формування шару графену на поверхні тонкої плівки рутенію. Спосіб складається з трьох етапів, де на першому етапі в вакуумній камері установки ВУП-5М, яка оснащена механічним форвакуумним та паромасляним дифузійним насосом, що утворює в камері тиск залишкових газів порядку 10-4 Па, які містять вуглецеві сполуки, на підкладці з пластини монокристалу кремнію з шаром діоксиду кремнію формують адгезійний вуглецевовмісний шар товщиною не більше 1 нм, на другому етапі методом вакуумного термічного осадження в тій же вакуумній камері, за допомогою електронно-променевої гармати діодного типу формують тонку плівку рутенію товщиною 20 нм, а на третьому етапі пластину зі сформованою тонкою плівкою рутенію розміщують у робочому об'ємі вакуумної установки D-356Asslar, що оснащена турбомолекулярним насосом, який забезпечує безмасляний вакуум високого ступеня, після чого підкладку з рутенієм відпалюють при температурі Тв=827 С протягом 15 хв. з наступним охолодженням, причому нагрівання і охолодження відбувається з постійною швидкістю 2-3 С/хв, в результаті на поверхні тонкої плівки рутенію формується шар графену.
Appears in Collections:	Патенти