Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83414
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Investigation of High-K Gate Dielectrics and Chirality on the Performance of Nanoscale CNTFET
Authors Renuka Devi, L.
Arumugam, N.
Jayanthi, J.E.
Arun, S.T.S.
Ananth, K.T.
ORCID
Keywords CNTFET
площинний
коаксіальний
хіральність
planar
coaxial
chirality
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83414
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation L. Renuka Devi, N. Arumugam, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 2, 02026 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(2).02026
Abstract Польові транзистори з вуглецевих нанотрубок (CNTFETs) мають особливі властивості, такі як надвисока теплопровідність, балістичний транспорт, найвища густина струму та надзвичайно висока механічна міцність. Завдяки цим чудовим характеристикам очікувалося, що вони будуть використовуватися як матеріал для кабелів та як альтернативний матеріал каналів для розширення характеристик CMOS структур. У роботі обговорюються площинна та коаксіальна геометрії з різними значеннями хіральності, аналізуються різноманітні параметри з різними діелектричними матеріалами, такими як SiO2, HfO2 та Y2O3 для поліпшення струму Ion, а також підпорогових коливань. Це покращило такі характеристики пристрою, як робоча напруга та відношення Ion/Ioff, густина/діаметр, потенціал/діаметр, енергія/DOS. Запропонований підхід забезпечує корисний та інтегративний метод виготовлення електронних пристроїв з нанорозмірних електронних матеріалів.
Carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) offer peculiar properties such as ultrahigh thermal conductivity, ballistic transport, highest current density, and extremely high mechanical strength. Because of these remarkable characteristics, they were anticipated to be used as cable materials and as an alternative channel material to extend the performance of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices. In this paper, the planar and coaxial geometries with different chirality value are discussed, various parameters are analyzed with different dielectric materials like SiO2, HfO2, and Y2O3 to improve Ion current as well as subthreshold swing. This enhanced the device performances such as operation voltage, Ion/Ioff, density/diameter, potential/diameter, and energy/DOS ratios. This approach provides a useful and integrative method for manufacturing electronic devices from nanoscale electronic materials.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1067000462
France France
15075326
Germany Germany
1
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
-1224779466
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
583774
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Mongolia Mongolia
1
Netherlands Netherlands
360
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
South Korea South Korea
50293
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
322492709
United Arab Emirates United Arab Emirates
1
United Kingdom United Kingdom
30150654
United States United States
1067000465
Unknown Country Unknown Country
108161904
Vietnam Vietnam
4939

Downloads

Belgium Belgium
1
Canada Canada
1
China China
1067000464
France France
1
Germany Germany
30150650
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
4811206
Japan Japan
358
Lithuania Lithuania
1
Portugal Portugal
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
322492709
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1067000467
Unknown Country Unknown Country
1815257712
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Renuka_Devi_jnep_2_2021.pdf 1.07 MB Adobe PDF 11746281

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.