Графенові транзистори в якості підсилювального елементу

Внучков, Є.О.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84485

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Графенові транзистори в якості підсилювального елементу
Other Titles	Graphene transistors as an amplifying element
Authors	Внучков, Є.О.
ORCID
Keywords	Графеновий транзистор Графеновый транзистор Graphene transistor заборонена зона запретная зона band gap двошаровий графен двухслойный графен two-layer graphene
Type	Bachelous Paper
Date of Issue	2021
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84485
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Внучков Є.О. Графенові транзистори в якості підсилювального елементу [Текст]: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра; спец. 171 – Електроніка /Є.О.Внучков; наук. кер. О.І.Федчун. – Суми: СумДУ, 2021. – 31 с.
Abstract	Об’єктом дослідження даної кваліфікаційної роботи є графенові транзистори в якості підсилювального елементу. Мета роботи полягає у вивченні принципів дії, конструкції, технологічних параметрів графенових транзисторів в якості підсилювального елементу аналізу областей і специфіка використання. У цій роботі розглядається поточний стан графенових транзисторів як потенційного доповнення до кремнієвої технології CMOS. Короткий огляд методів виробництва графену та метрології супроводжується введенням макроскопічних графенових польових транзисторів (FET).
Appears in Collections:	Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)