Приладово-технологічне моделювання структури та параметрів кремнієвих FinFET транзисторів

Державецький, І.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84517

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Приладово-технологічне моделювання структури та параметрів кремнієвих FinFET транзисторів
Other Titles	Devices and technological simulation of structure and parameters of silicon FinFET transistors
Authors	Державецький, І.А.
ORCID
Keywords	Тривимірні транзисторні структури Трехмерные транзисторные структуры Structural models Tri-Gate FinFET короткоканальні ефекти короткоканальные эффекты short-channel effects квантові ефекти квантове эффекты quantum effects
Type	Bachelous Paper
Date of Issue	2021
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84517
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Державецький І.А. Приладово-технологічне моделювання структури та параметрів кремнієвих FinFET транзисторів [Текст]: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра; спец. 171 – Електроніка /І.А. Державецький; наук. кер. І.П. Бурик . – Суми: СумДУ, 2021. – 33 с.
Abstract	Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є тривимірні структури кремнієвих FET-транзисторів із Fin-каналами та їх електричні характеристики. Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування та квантових ефектів у каналах тривимірних кремнієвих транзисторів типу FinFET на їх робочі характеристики. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд FinFET технології, яка використовується для виготовлення елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядаються методи побудови тривимірних структур польових транзисторів в рамках технології FinFET та їх вольт-амперних характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були успішно спроєктовані SOI TG FinFET транзистори та досліджені на вплив масштабування та квантових ефектів у Fin-каналах на їх робочі характеристики.
Appears in Collections:	Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)