Приладово-технологічне моделювання напівпровідникових діодів

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є принцип дії, структура та робочі характеристики напівпровідникових діодів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей та структур діодів, відпрацюванні алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних даних та відтворення процесів роботи приладу. При виконанні роботи для розробки та створення напівпровідникових діодних структур використовувалися методи комп’ютерного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань різних діодних структур, набуто навичок роботи з програмним кодом фізичного опису моделі напівпровідникового елементу, порівняно можливості та зручність програмних середовищ. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд сучасних систем програмного моделювання та їх можливостей. У другому розділі описано методи розробки, опису фізичної моделі діода, алгоритм створення віртуальної моделі в програмному середовищі та отримання результатів у зручному для сприйняття вигляді. У третьому розділі було спроектовано віртуальні моделі описаних діодних структур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними відомостями про діоди.