Особливості процесу фотолітографії як базової інтегральної технології

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є вивчення особливостей процесу фотолітографії як базової інтегральної технології. Мета роботи полягає у вивченні методики комп’ютерного моделювання фотолітографічних процесів та їх застосування при виготовлені елементів електроніки. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено основні різновиди способів літографії їх поняття типи фоторезистів, а також методи для підвищення якості формування зображення під час проектування елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядається основний функціонал програмного середовища TCAD Silvaco, що використовується для моделювання процесу літографії, а також додаткові пакети які розширюють функціонал даного продукту. У третьому розділі були успішно спроектовані структурні моделі n-канального MOSFET транзистора з використанням 60 нм процесу літографії з довжиною затвора 20 нм, а також моделювання непланарної оптичної літографії.