Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85305
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Influence of the Degree of Atomic Hydrogen Passivation of Electrically Active Centers in Cd1 – xZnxTe on the Resolution of Optical Recording of Images with n-p-i-m Nanostructures |
Other Titles |
Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах |
Authors |
Brytan, V.B.
Peleshchak, R.M. Uhrun, Y.O. Seneta, M.Ya. Tadeush, O.H. |
ORCID | |
Keywords |
монокристал Cd1 – xZnxTe роздільна здатність пасивація деформація електростатично-деформаційна взаємодія Cd1 – xZnxTe single crystal resolution passivation deformation electrostatic-deformation interaction |
Type | Article |
Date of Issue | 2021 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85305 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | V.B. Brytan, R.M. Peleshchak, Y.O. Uhrun, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 4, 04024 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04024 |
Abstract |
У роботі запропоновано електростатично-деформаційну модель пасивації атомарним воднем електрично-активних центрів виду дефектів стиску (розтягу) у напівпровідниках Cd1 – xZnxTe. Встановлено,
що ефект підсилення пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe має місце у випадку коли
концентрація атомарного водню NH не перевищує концентрацію акцепторів NA (NH ≤ NA), а послаблення ефекту пасивації спостерігається коли концентрація атомарного водню NH є набагато більшою
за концентрацію акцепторів NA (NH ≥ NA). Отримано вираз для роздільної здатності Ri оптичнореєструючих наноструктур метал-діелектрик-напівпровідник Cd1 – xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) та розраховано
значення роздільної здатності для непасивованого напівпровідникового матеріалу Cd0.8Zn0.2Te та для
пасивованого в атмосфері водню, яке становить R1 = 6682 та R2 = 17423 відповідно. Запропоновано
спосіб розширення спектрального діапазону запису оптичної інформації на основі n-p-i-m наноструктур за допомогою зміни складу (0 ≤ x ≤ 1) твердого розчину Cd1 – xZnxTe. An electrostatic-deformation model of atomic hydrogen passivation of electrically active centers of the type of compression defects in Cd1 – xZnxTe semiconductors is proposed. It is found that the effect of increasing passivation of electrically active centers in Cd1 – xZnxTe occurs when the concentration of atomic hydrogen NH does not exceed the concentration of acceptors NA (NH ≤ NA), and weakening of the passivation effect is observed when the concentration of atomic hydrogen NH is much higher than the concentration of acceptors NA (NH ≥ NA). The expression for the resolution Ri of optical-registering metal-dielectricsemiconductor nanostructures Cd1 – xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) is obtained and the resolution value for nonpassivated as well as for passivated in the hydrogen atmosphere semiconductor material Cd0.8Zn0.2Te is calculated, which is R1 = 6682 and R2 = 17423, respectively. A method for expanding the spectral range of optical information recording based on n-p-i-m nanostructures by changing the composition (0 ≤ x ≤ 1) of the solid solution Cd1 – xZnxTe is proposed. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Argentina
1
China
197276947
Germany
1
Hong Kong SAR China
1
Indonesia
1
Ireland
634952706
Japan
1
Lithuania
1
Singapore
1
Sweden
1
Ukraine
36406791
United Kingdom
1546441
United States
394553542
Unknown Country
4904336
Vietnam
1519
Downloads
Canada
1
China
394553541
France
1
Germany
24786678
India
10764
Ireland
82865
Japan
1269642291
Lithuania
1
Singapore
634952712
Ukraine
4904339
United Kingdom
197276948
United States
634952710
Unknown Country
394553542
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Brytan_jnep_4_2021.pdf | 422.96 kB | Adobe PDF | -739250902 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.