Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85900
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4
Authors Kakherskyi, Stanislav Ihorovych
Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych  
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych  
Kurbatov, Denys Ihorovych  
Ворожцов, Д.О.
ORCID http://orcid.org/0000-0002-2560-9379
http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
http://orcid.org/0000-0001-9238-7596
http://orcid.org/0000-0002-2754-6367
Keywords створення нанокристалів
создание нанокристаллов
creation of nanocrystals
центрифугування
центрифугирование
centrifugation
напівпровідникова сполука Cu2ZnSnSe4
полупроводниковое соединение Cu2ZnSnSe4
semiconductor compound Cu2ZnSnSe4
Type Patent
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85900
Publisher Український ін-т інтелектуальної власності
License Copyright not evaluated
Citation Пат. 147623 U Україна, МПК (2021.01) H01L 21/00. Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 / С.І. Кахерський, Р.М. Пшеничний, А.С. Опанасюк та ін. (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u202008217; заявл. 22.12.2020; опубл. 27.05.2021, бюл. №21.
Abstract Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 полягає в тому, що суміш солей CuCl2.2H2O, Zn(CH3COO)2.2H2O, SnCl2.2H2O та аморфного Se у мольному співвідношенні Cu:Zn:Sn:Sе=2:(1,48-1,52):1:4 розчиняють у триетиленгліколі, нагрівають до 393 K та витримують при цій температурі в атмосфері аргону протягом 30 хвилин, далі нагрівають до температури синтезу 543-553 K та витримують протягом 100-120 хв. У процесі синтезу одержують золь нанокристалічного Cu2ZnSnSе4 в триетиленгліколі. Суміш охолоджують до кімнатної температури та відділяють синтезований продукт від органічної складової за допомогою центрифугування. Залишки триетиленгліколю відмивають етанолом при інтенсивному збовтуванні з наступним центрифугуванням. Відмитий продукт сушать при температурі 333 K протягом 12 год.
Appears in Collections: Патенти

Views

Argentina Argentina
1
China China
136
Germany Germany
1
Ireland Ireland
39974
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
67
Sweden Sweden
269
Ukraine Ukraine
2889487
United Kingdom United Kingdom
156185
United States United States
7530524
Unknown Country Unknown Country
10624547

Downloads

France France
1
Germany Germany
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
69
Norway Norway
1
Ukraine Ukraine
2889488
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
7530521

Files

File Size Format Downloads
147623_Kakherskyi.pdf 307.24 kB Adobe PDF 10420083

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.