Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85964
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Sol-Gel Fabricated CuO Thin Film: Characterization for Device Application |
Other Titles |
Тонка плівка CuO, виготовлена методом золь-гелю: характеристики для застосування в пристроях |
Authors |
Maini, A.
Shah, M.A. |
ORCID | |
Keywords |
CuO золь-гель оптична ширина забороненої зони наночастинки провідність за постійним струмом оптоелектронний sol-gel optical band gap nanoparticles DC conductivity optoelectronic |
Type | Article |
Date of Issue | 2021 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85964 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | A. Maini, M.A. Shah, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 5, 05018 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05018 |
Abstract |
Широкозонний напівпровідник CuO є перспективним матеріалом, придатним для високотемпературних, високочастотних та високопотужних застосувань в електроніці і оптоелектронних
пристроях через свої виняткові характеристики. Зокрема, на основі плівки CuO реалізуються короткохвильові світловипромінювальні пристрої завдяки великій ширині забороненої зони. Плівки CuO
широко використовуються для оптоелектронних застосувань у короткохвильовій частині видимого світла, особливо для лазерних діодів та світлодіодів. У роботі ми повідомляємо про властивості тонкої
плівки з оксиду міді CuO, виготовленої дуже економічною технікою золь-гелю. Підготовлена плівка
характеризується рентгенівською дифракцією (XRD) для структурного аналізу. Скануючий електронний мікроскоп визначає пористу морфологію, а елементний склад CuO підтверджується EDS. Спостерігається поява сильних і слабких раманівських піків у діапазоні 300-350 см – 1. Оптичне дослідження
проводиться за допомогою поглинання в УФ та видимій областях з прямої забороненої зони, розрахованої для підготовленої плівки, яка становить 2,43 еВ. Вимірювання характеристик I-V виконуються
за двозондовою технікою, а плівка CuO демонструє напівпровідникову поведінку з енергією активації
0,21 еВ. Таким чином, отримані результати вказують на можливість використання CuO в електронних пристроях та різних інших оптичних застосуваннях. In this paper, a wide band gap semiconductor CuO has appeared as a promising material suitable for high-temperature, high-frequency, and high-power operations in electronics as well as optoelectronic devices because of its exceptional characteristics. In particular, CuO films have an outstanding ability to materialize short-wavelength light-emitting devices due to the large band gap energy. CuO films are widely used for optoelectronic applications in the short wavelength visible light region especially for laser diodes (LDs) and light-emitting diodes (LEDs). Here, we report the properties of a copper oxide thin film prepared by the sol-gel technique, which is very economical and involves a sophisticated method. The prepared film is characterized by X-ray diffraction (XRD) for structural analysis. The scanning electron microscope identifies porous morphology, and the elemental composition of CuO is confirmed by EDS. The appearance of strong and weak Raman peaks at 300-350 cm – 1 is observed. The optical study is carried out by UV-visible absorbance from the direct band gap calculated for the prepared film, that is 2.43 eV. The I-V measurements are performed using a two-probe technique, and the CuO film shows semiconductor behavior with an activation energy of 0.21 eV. Thus, the obtained results indicate the prepared sample for electronic devices and various other optical applications. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

1

1

1

-677979846

1

116317427

1

1

944076

550565181

1

1

1888149

1

1

1

1

-1725420412

32491720

1

129620

2060977476

116317429

952600741

2957

1
Downloads

1

1

672431623

1

59759

2060977473

1888150

1

1888153

1

1

116317429

64983331

658858810

522139246

116317430

1

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Maini_jnep_5_2021.pdf | 534.82 kB | Adobe PDF | -79105884 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.