Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86506
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Optical Properties of ZnO Thin Film: A Simulation Study for Optoelectronic Applications
Other Titles Оптичні властивості тонкої плівки ZnO: імітаційне дослідження для оптоелектронних застосувань
Authors Mohd, Rafi Lone
Kundan, Kumar
Joginder, Singh
Kuldeep, Kumar
Zargar, R.A.
ORCID
Keywords оптоелектроніка
модель Селмейера
тонка плівка
ZnO
моделювання MATLAB
optoelectronics
Sellmeier model
thin film
MATLAB simulation
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86506
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Mohd Rafi Lone, Kundan Kumar, Joginder Singh, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 6, 06014 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06014
Abstract Спектроскопічна еліпсометрія широко використовується для дослідження оптичних властивостей тонкоплівкових покриттів з оптично гладкими поверхнями. Теоретичне моделювання розроблено в рамках теорії моделі Селмейера з метою аналізу, розуміння та прогнозування оптичної поведінки тонкої плівки ZnO. ZnO є добре відомим напівпровідником з можливістю застосування в оптоелектроніці, наприклад, в сонячних елементах, світловипромінюючих діодах, рідкокристалічних дисплеях тощо. У роботі представлений аналіз оптичних властивостей тонких плівок ZnO, отриманих методом Селмейера за допомогою спектрів пропускання. Для цього був використаний пакет MATLAB для генерування даних стосовно пропускання, і було помічено, що плівка демонструє 96 % пропускання в діапазоні 500-1000 нм, що є найкращим показником для сонячного спектру. Ці дані стосовно пропускання були використані для розрахунку різних оптичних параметрів, таких як показник заломлення, коефіцієнт екстинкції та оптична ширина забороненої зони, які були отримані за різними формулами в залежності від довжини хвилі в УФ і видимій областях. Встановлено, що прямий перехід забороненої зони становить 3,23 еВ, а показник заломлення та коефіцієнт екстинкції змінюються до 400 нм. Така дослідницька робота допоможе нам знайти найкращу технологію тонкоплівкового покриття для розробки оптоелектронних пристроїв. Моделювання та порівняння оптичних властивостей допомагає оптимізувати найкраще співвідношення матеріал/властивості для перспективних пристроїв. Дане дослідження може забезпечити екологічно чистий і недорогий інструмент для оптоелектронних пристроїв і пристроїв на сонячних елементах.
Spectroscopic ellipsometry is widely used to find the optical properties of thin film coatings with optically smooth surfaces. Theoretical modeling is developed within the Sellmeier model theory in order to analyze, understand and predict the optical behavior of a ZnO thin film. ZnO is a well-known semiconductor with possible applications in optoelectronics such as solar cells, light emitting diodes, liquid crystal displays, etc. This paper presents an analysis of the optical properties of ZnO thin films obtained by the Sellmeier method using transmission spectra. For this, the computer language MATLAB was employed to generate the transmission data, and the film was observed to exhibit 96 % transmittance in the 500- 1000 nm range, superior for the solar spectrum. These transmission data were used to calculate various optical parameters such as refractive index, extinction coefficient, and optical band gap, which were calculated using different formulas with respect to wavelength in the UV-visible region. It is found that the direct band gap transition is 3.23 eV, while the refractive index and extinction coefficient show variation up to 400 nm. This sort of research work will help us find the best thin film coating technology for designing optoelectronic devices. Simulation and comparison of the optical properties help to optimize the best material/property ratio for promising devices. The present investigation can provide an environment friendly and low-cost tool for optoelectronic and solar cell devices.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
Australia Australia
1
China China
807
Finland Finland
74
Germany Germany
1
Greece Greece
2491
India India
1380832650
Iran Iran
51830
Ireland Ireland
1296835
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1
Pakistan Pakistan
1
Romania Romania
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
989597153
United Kingdom United Kingdom
469399237
United States United States
1019515033
Unknown Country Unknown Country
2021056551
Vietnam Vietnam
2495

Downloads

Algeria Algeria
1
China China
452242195
France France
1
Germany Germany
495492714
India India
469399241
Indonesia Indonesia
1
Iran Iran
51831
Ireland Ireland
1
Japan Japan
1586787871
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1
Netherlands Netherlands
-1464557140
Pakistan Pakistan
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Ukraine Ukraine
1742150268
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1019515036
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Mohd_Rafi_Lone_jnep_6_2021.pdf 426.24 kB Adobe PDF 6114731

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.