Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86576
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Evaluation of Device Fabrication from FET to CFET: A Review
Other Titles Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд
Authors Lakshmi Prasanna, J.
Ravi Kumar, M.
Priyanka, Ch.
Chella, Santhosh
ORCID
Keywords польовий транзистор (FET)
CMOS
FinFET
CFET
короткоканальні ефекти
виготовлення
field effect transistor
short channel effects
fabrication
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86576
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation J. Lakshmi Prasanna, M. Ravi Kumar, Ch. Priyanka, Chella Santhosh, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 6, 06030 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06030
Abstract Напівпровідникова промисловість розвивається з кожним днем, щоб задовольнити потреби суспільства. З розвитком технологій щільність транзисторів в мікросхемі зростає, щоб підвищити продуктивність, зберігаючи при цьому розмір. Завдяки мініатюризації транзисторів за останні десятиліття, технічний прогрес не стоїть на місці. Інтенсивне масштабування планарного MOSFET перервало еру нанорозмірних приладів через значні ускладнення, пов'язані зі збільшенням паразитної ємності, підпороговим струмом витоку, більш тонкими оксидами затвора, що спонукало дослідників розробити та впровадити нові пристрої з підвищеною ефективністю при низьких параметрах потужності та зменшеними короткоканальними ефектами (SCEs). У цій оглядовій статті було досліджено та проаналізовано нещодавній технологічний попит на польові транзистори (FETs) з декількома затворами. Пристрої з декількома затворами демонструють кращі характеристики, ніж звичайні FETs через їх крутий підпороговий схил, менший струм витоку та відмінні електростатичні властивості навіть при нанометровій довжині каналу. Польові транзистори з потрійним затвором (TG FETs) і польові транзистори з горизонтальним розташуванням каналів та круговим затвором (GAA FETs) додатково покращують керування затвором у каналі. Використовуючи технологію з декількома затворами на основі FinFET, контроль затвора над каналом може бути покращено разом із зменшенням паразитних ємностей. Щоб вивчити переривання у дослідженнях, проблеми технологій FinFET також були розглянуті разом із впровадженням нових пристроїв. Нанолисти та розгалужені листи добре вирішують ці проблеми, оскільки структури затворів накладаються одна на одну, щоб сформувати структуру з декількома затворами, яка підтримує покращений контроль затвора над каналом, тоді як CFET вводить 3D масштабування шляхом "складання" nFET поверх pFET, використовуючи всі можливості масштабування пристрою в 3D просторі.
Semiconductor industry is advancing day by day to meet the needs of society. As technology grows, the transistor density in an IC increases to augment the performance keeping down the size. Due to the miniaturization of transistors over the past decades, technological progress is in great demand. Vigorous scaling of a planar MOSFET has outaged its nanoscale era due to significant complications associated with increased parasitic capacitance, subthreshold leakage current, thinner gate oxides, which led the researchers to develop and innovate new devices with improved efficiency at low power parameters and reduced short channel effects (SCEs). In this review article, recent technological demand for FETs with multiple gates has been explored and reviewed with advancements. Devices with multiple gates show better performance than conventional FETs due to their steep subthreshold slope, lower leakage current and excellent electrostatic properties even in nanometer regime channel lengths. A triple gate FET and a gate all around FET further improve gate control over the channel. Using FinFET based multi-gate technology, gate control over the channel charge could be increased along with a reduction in parasitic capacitances. To explore the discontinuity of research, the challenges of FinFET technologies have also been addressed along with the introduction of emerging devices. Nanosheets and forksheets address these problems well, as gate structures are stacked on top of each other to form a multiple gate structure that supports enhanced gate control over the channel, whereas C-FET introduces 3D scaling by „folding‟ the nFET on top of the pFET by exploiting the full edge possibilities of device scaling in 3D.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
Australia Australia
-1236489594
Bangladesh Bangladesh
219904
Belgium Belgium
1434991183
China China
1434991184
Finland Finland
185
Germany Germany
90798
Greece Greece
939275
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1063942447
Hungary Hungary
154471274
India India
1063942452
Iraq Iraq
147639
Ireland Ireland
154471277
Japan Japan
2128639867
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1
Netherlands Netherlands
-1370799213
Singapore Singapore
-1451540565
South Korea South Korea
1007280767
Spain Spain
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
1063942448
Ukraine Ukraine
966756558
United Kingdom United Kingdom
605365582
United States United States
1007280768
Unknown Country Unknown Country
1454308485
Vietnam Vietnam
939273

Downloads

Algeria Algeria
1
Australia Australia
1
Bangladesh Bangladesh
1
Belgium Belgium
-1370799218
China China
1063942449
Egypt Egypt
1
Finland Finland
1
France France
1
Germany Germany
45912
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
-742958168
India India
1434991179
Iran Iran
1
Ireland Ireland
1
Italy Italy
1
Japan Japan
1063942451
Lithuania Lithuania
259061235
Singapore Singapore
487720767
South Korea South Korea
-1236489598
Taiwan Taiwan
-1236489596
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
1
United Kingdom United Kingdom
115077
United States United States
1007280769
Unknown Country Unknown Country
9416993
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Lakshmi_Prasanna_jnep_6_2021.pdf 483.5 kB Adobe PDF 739780264

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.