Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86584
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Influence of the Angle of Incident Light on the Performance of Textured Silicon Solar Cells |
Other Titles |
Вплив кута падіння світла на характеристики текстурованих кремнієвих сонячних елементів |
Authors |
Gulomov, J.
Aliev, R. |
ORCID | |
Keywords |
сонячний елемент кремній моделювання кут падіння світла піраміда текстура solar cell silicon simulation angle of incident light pyramid texture |
Type | Article |
Date of Issue | 2021 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86584 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | J. Gulomov, R. Aliev, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 6, 06036 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06036 |
Abstract |
Важливо знати вплив навколишнього середовища на властивості сонячних елементів, оскільки
вони зазвичай використовуються у відкритих середовищах. Якщо морфологія поверхні сонячного елемента змінюється, кут падіння світла буде змінюватися залежно від його фотоелектричних властивостей. Отже, у роботі досліджувалися фотоелектричні властивості кремнієвих сонячних елементів, покритих вертикальними пірамідами з різними кутами основи, залежно від кута падіння світла. З отриманих результатів було виявлено, що при зміні кута падіння світла від 0° до 80° густини струму короткого замикання площинних, пірамідальних і текстурованих кремнієвих сонячних елементів з кутами основи пірамід 50.4° і 70.4° зменшуються до 82,6; 88,8; 89,8 %, напруги холостого ходу зменшуються до 10,5; 12,8; 14,1 %, а коефіцієнти заповнення зменшуються до 1,9; 2,2 та 3 %. ККД кремнієвого сонячного елемента, покритого пірамідами з кутом основи 70.4°, краще, ніж ККД планарних та інших
текстурованих кремнієвих сонячних елементів в діапазоні кутів падіння світла від 0° до 80°, хоча залежність його фотоелектричних параметрів від кута падаючого світла зростає. It is important to study environmental effects on the properties of solar cells because solar cells are usually used in open environments. If the surface morphology of a solar cell changes, the angle of incident light will change depending on its photoelectric properties. So, in this paper, the photoelectric properties of silicon solar cells covered with upright pyramids with different base angles were investigated depending on the angle of incident light. From the obtained results, it was found that when the angle of incident light is varied from 0° to 80°, the short circuit current densities of planar and pyramidal textured silicon solar cells with base angles of pyramids of 50.4° and 70.4° decrease to 82.6, 88.8, 89.8 %, the open circuit voltages decrease to 10.5, 12.8, 14.1 % and the fill factors decrease to 1.9, 2.2 and 3.2 %. The efficiency of a silicon solar cell covered with pyramids with a base angle of 70.40 is better than those of planar and other textured silicon solar cells in the range of incident light angles from 0° to 80°, although the dependence of its photoelectric parameters on the angle of incident light increases. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Australia
-2136349827
Canada
1
China
-968869745
Finland
148
France
3372819
Germany
139041941
Greece
3623
Hong Kong SAR China
1079356665
India
1
Ireland
1686410
Japan
136194
Lithuania
1
Malaysia
184744
Philippines
308932149
Romania
562135
Serbia
562137
Singapore
-2136349826
South Korea
-2136349833
Sweden
80605619
Taiwan
308932153
Tunisia
-2136349832
Turkey
308932158
Ukraine
74923
United Kingdom
92458
United States
-45876252
Unknown Country
215608
Uzbekistan
1554849956
Vietnam
3625
Downloads
Azerbaijan
1
China
-968869744
Egypt
1
France
156875
Germany
-1370058675
Hong Kong SAR China
1
Indonesia
-2136349825
Ireland
6745636
Japan
98558
Lithuania
1079356664
Malaysia
1
Singapore
951
Turkey
1
Ukraine
1
United Kingdom
6745638
United States
-45876251
Unknown Country
1
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Gulomov_jnep_6_2021.pdf | 358.53 kB | Adobe PDF | 866917131 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.