Приладово-технологічне моделювання транзисторних структур на основі вуглецевих наноматеріалів

Abstract

Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування та температури на продуктивність польових транзисторів з каналами у вигляді одностінних вуглецевих нанотрубок. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд характеристик транзисторних структур з каналами у вигляді одностінних вуглецевих нанотрубок та ін. та базових моделей транспорту заряду. У другому розділі розглядається методика моделювання польових транзисторів із затвором GAA (Gate-All-Around) в рамках технології SOI (Silicon-On-Insulator) та їх характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були спроєктовані тривимірні структури та досліджені на вплив масштабування та температури на їх продуктивність, отримані результати свідчать про більш високу термостійкість польових транзисторів із каналами на основі вуглецевих нанотрубок, ніж для транзисторів із каналами у вигляді нанодротів кремнію.