Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87454
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Extensive Study of Position-Dependent Multi-Channel GAA MOSFET and its Effect on Device Performance
Other Titles Розширене дослідження позиційно-залежного багатоканального GAA MOSFET та його впливу на характеристики пристрою
Authors Krutideepa, Bhol
Umakanta, Nanda
ORCID
Keywords GAA
High-k
струм витоку
підпорогове коливання
квантовий
leakage current
subthreshold swing
quantum
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87454
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Krutideepa Bhol, Umakanta Nanda, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 1, 01018 (2022). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01018
Abstract У роботі проведено симуляційне дослідження багатоканального польового транзистора з горизонтальним розташуванням каналів та круговим затвором (GAA MOSFET) з розрахунком розділення каналів. Моделювання виконується у низько-технологічних вузлах з урахуванням квантового ефекту. Ізолятор, який використовується в розглянутій моделі, є high-k діелектриком, що дозволяє зменшити масштаб пристрою. Детально досліджуються розділення кремнієвих каналів та його вплив на характеристики пристрою. Отримані таким чином характеристики, а саме струм стоку (ID), порогова напруга (Vth), крутизна (gm) та коефіцієнт перемикання (Ion/Ioff), порівнюються для різних розділень каналів. Крім того, детально вивчається струм витоку та пов'язаний з ним короткоканальний ефект, такий як підпорогове коливання (SS), та його залежність від розділення каналів. Покращене на 28,9 % значення струму включення при SS, рівному 70,34 мВ/дек, досягається для розділення каналів в 10 нм. Однак коефіцієнт перемикання 9,13e+08 отримано для розділення в 6 нм, що порівняно вище, ніж для розділення в 9 і 10 нм.
In this paper, a simulation study is carried out for a multi-channel gate all around (GAA) MOSFET with channel separation calculation. The simulation is performed in lower technology nodes by taking the quantum effect into consideration. The insulator used in this model is a high-k dielectric, which allows the device to be scaled down. The separation between the silicon channel and its effect on device performance is investigated extensively. The performance thus obtained is compared with different channel separations in terms of drain current (ID), threshold voltage (Vth), transconductance (gm) and switching ratio (Ion/Ioff). Further, the leakage current and associated short channel effect such as subthreshold swing (SS) and its dependence on channel separation are studied in detail. An improved value of on-current of 28.9 % along with SS of 70.34 mV/dec is achieved for a separation of 10 nm. However, a switching ratio of 9.13e+08 is obtained for a separation of 6 nm which is comparatively higher than 9 and 10 nm separation.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
China China
2445
Finland Finland
1614
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
1198217
Ireland Ireland
534771227
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
24964
Taiwan Taiwan
599110
Ukraine Ukraine
65369446
United Kingdom United Kingdom
19820523
United States United States
-1542245212
Unknown Country Unknown Country
221836738
Vietnam Vietnam
4161

Downloads

China China
534771227
Germany Germany
1
India India
8004760
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
130738888
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-698616760
Unknown Country Unknown Country
-1542245209
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Krutideepa_Bhol_jnep_1_2022.pdf 485.16 kB Adobe PDF -1567347088

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.