Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87647
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Effect of Channel Material on the Performance Parameters of GAA MOSFET
Other Titles Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET
Authors Jeevanarao, B.
Rudra, S.D.
ORCID
Keywords GAA
підпороговий нахил (SS)
матеріал нанодроту
метал-оксид-напівпровідник (MOS)
аналогова частота
gate all around (GAA)
subthreshold slope (SS)
nanowire material
metal oxide semiconductor (MOS)
analog frequency
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87647
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Jeevanarao Batakala, Rudra Sankar Dhar, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 2, 02003 (2022). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02003
Abstract У роботі пропонується аналіз характеристик польового транзистора з каналом із циліндричного нанодроту для двох матеріалів каналу, а саме Si та GaAs. Характеристики транзистора GAA-NWMOSFET з нанодротами Si та GaAs в діапазоні 20 нм досліджуються за допомогою симулятора структури ATLAS. Результати моделювання показують, що пристрій з Si має набагато кращу порогову напругу та підпорогове коливання, а пристрій з GaAs має найкраще співвідношення струмів ION/IOFF та менше значення DIBL. Крім того, порівнюються експлуатаційні характеристики аналогових пристроїв для двох різних матеріалів (Si та GaAs), такі як струм стоку, крутизна, а також вихідна провідність, підпороговий нахил (SS) і порогова напруга пристрою. Встановлено, що матеріал GaAs забезпечує знижений струм приводу та менший струм витоку, даючи високе ION/IOFF. З точки зору SS, матеріал Si забезпечує ідеальну та стабільну роботу пристрою.
The paper proposes an analysis of the characteristics of a cylindrical nanowire field effect transistor for two channel materials, namely Si and GaAs. The performance curves of Si and GaAs nanowire MOSFETs (GAA-NW-MOSFETs) in the 20 nm region are investigated via structure simulator called ATLAS. The simulation results show that the Si device has a much better threshold voltage and subthreshold swing, but the GaAs device has the best ION/IOFF current ratio and less drain-induced barrier-lowering (DIBL). Furthermore, performance characteristics of analog devices such as drain current, transconductance, as well as output conductance, subthreshold slope (SS) and threshold voltage of the device are compared for two different materials (Si and GaAs). It is found that the GaAs material provides reduced drive current and lower leakage current, giving a high ION/IOFF. In terms of SS, the Si material in the device ensures the perfect and stable device performance.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
327415880
Finland Finland
69
France France
1
Germany Germany
1
Greece Greece
468
India India
1
Iran Iran
1
Ireland Ireland
-1363775258
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
3125098
Taiwan Taiwan
1470514734
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
28716995
United Kingdom United Kingdom
9837426
United States United States
-1363775248
Unknown Country Unknown Country
-1363775252
Vietnam Vietnam
140947

Downloads

Algeria Algeria
1
Bangladesh Bangladesh
1
Belgium Belgium
327415881
Canada Canada
1
China China
1470514727
France France
9837428
Germany Germany
9837421
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
1470514730
Ireland Ireland
1
Japan Japan
-1363775250
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1470514732
Ukraine Ukraine
86138382
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-1363775253
Unknown Country Unknown Country
1470514727
Vietnam Vietnam
140948

Files

File Size Format Downloads
Jeevanarao_jnep_2_2022.pdf 397.64 kB Adobe PDF -707088815

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.