Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87651
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Effect of the Conduction Band Offset on the Performance of GaAs/AlxGa1 – xAs Resonant Tunneling Diode
Other Titles Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs
Authors Charmi, M.
ORCID
Keywords зсув зони провідності
нерівноважна функція Гріна
резонансний тунельний діод
молярна частка Al
квантовий транспорт
conduction band offset
non-equilibrium Green function (NEGF)
resonant Tunneling Diode (RTD)
Al mole fraction
quantum transport
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87651
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation M. Charmi, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 2, 02007 (2022). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02007
Abstract У роботі представлено дослідження впливу зсуву зони провідності та молярної частки алюмінію на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs з використанням повного квантового моделювання. Моделювання базується на самоузгодженому розв'язанні рівняння Пуассона та рівняння Шредінгера з відкритими граничними умовами в рамках формалізму нерівноважної функції Гріна. Структура резонансного тунельного діода складається з вузької забороненої зони 2 нм, квантова яма GaAs затиснута між двома тонкими широкозонними бар'єрами з AlGaAs шириною 2 нм. Ці три шари затиснуті між двома нелегованими роздільними шарами з GaAs шириною 15 нм, які з'єднані з двома великими резервуарами контактів GaAs з високим вмістом легуючих домішок (1018 см – 3) завширшки 12 нм. Досліджено вплив змінної молярної частки Al на зону провідності, функцію пропускання та вихідним струм. Результати моделювання показують, що характеристики пристрою можуть бути покращені шляхом правильного вибору молярної частки.
This paper presents the effects of conduction band offset and aluminum mole fraction on performance of GaAs/AlxGa1 – xAs resonant tunneling diode using full quantum simulation. The simulation is based on a self-consistent solution of the Poisson equation and Schrodinger equation with open boundary conditions, within the non-equilibrium Green function formalism. A resonant tunneling diode structure consists of a 2 nm narrow band gap, a quantum well of GaAs is sandwiched between two thin wide band gap barriers of AlGaAs with a width of 2 nm. These three layers are sandwiched between two un-doped GaAs spacer layers with a width of 15 nm that are connected to two large reservoirs of high dopant GaAs contacts (1018 cm – 3) with a width of 12 nm. The effects of varying Al mole fraction are investigated in terms of the conduction band, transmission function and output current. Simulation results illustrate that the device performance can be improved by proper selection of the mole fraction.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
1470002
Finland Finland
76
France France
78140305
Germany Germany
511985
Greece Greece
423
India India
1
Ireland Ireland
263390
Japan Japan
2005
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
8658024
United Kingdom United Kingdom
4394963
United States United States
530178087
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
33186

Downloads

China China
62806245
Egypt Egypt
1
Germany Germany
4394961
India India
62806247
Indonesia Indonesia
2006
Ireland Ireland
1
Japan Japan
65950
Libya Libya
2006
Lithuania Lithuania
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Serbia Serbia
1
South Africa South Africa
257
South Korea South Korea
32138120
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
16804061
United Kingdom United Kingdom
415
United States United States
530178084
Unknown Country Unknown Country
436703715
Vietnam Vietnam
33187

Files

File Size Format Downloads
Charmi_jnep_2_2022.pdf 285.58 kB Adobe PDF 1145935260

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.