Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87674
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Characterization of Aluminum Gallium Arsenide (AlxGa1 – xAs) Semiconductors Using MATLAB
Other Titles Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB
Authors Abdelkrim, Mostefai
ORCID
Keywords AlGaAs
GaAs
AlAs
температура
напівпровідники III-V
енергетичні зони
густина станів
власна густина носіїв
temperature
III-V semiconductors
energy bands
density of states
intrinsic carrier density
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87674
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Abdelkrim Mostefai, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 2, 02029 (2022). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02029
Abstract Однією з основних характеристик напівпровідників є те, що вони можуть бути леговані домішками для зміни їх електричних властивостей. Властивості напівпровідників характеризуються зонною теорією. Ця модель стверджує, що електрон у твердому тілі може приймати значення енергії лише в певних діапазонах, які називаються дозволеними зонами, що розділені іншими зонами, які називаються забороненими зонами. Ці матеріали в основному використовуються в електроніці (діоди, транзистори тощо), мікроелектроніці для інтегральних схем, в сонячних елементах та оптоелектронних пристроях, таких як світлодіоди. Напівпровідники III-V представляють значний інтерес через свої властивості, вони міцні, мають високу теплопровідність і пряму заборонену зону. Пристрої та схеми в групі напівпровідників III-V завжди були відомі своєю високою швидкістю, а також дорогим виробництвом та меншою інтеграцією порівняно з кремнієвими. У цій роботі моделі ефективної густини станів (Nc і Nv) у зоні провідності та валентній зоні, власної густини носіїв ni, температурної залежності енергетичної забороненої зони (Eg) та залежності від легування ширини забороненої зони (Eg) напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) аналізуються за допомогою MATLAB для різних значень x (0 ≤ x ≤ 1).
A semiconductor is a material that has electrical properties somewhere in the middle, between those of an insulator and a conductor. It is neither a good insulator nor a good conductor (called a semiconductor). It has very few free electrons because its atoms are closely grouped together in a crystalline pattern called a crystal lattice, however, electrons are still able to flow, but only under special conditions. One of the principal characteristics of semiconductors is that they can be doped with impurities to alter their electrical properties. The semiconductor properties are characterized by the band theory. This model states that an electron in a solid can only take on energy values within certain ranges called permitted bands, which are separated by other bands called band gaps. These materials are mainly used in electronics (diodes, transistors, etc.), microelectronics for integrated circuits, solar cells and optoelectronic devices such as light emitting diodes (LEDs). III-V semiconductors are of great interest because of their properties, they are robust, have a high thermal conductivity and a direct band gap. Devices and circuits in the III-V semiconductor group were always known by their high speed, but also by their expensive production and lower integration compared to silicon-based ones. In this paper, models for the effective density of states (Nc and Nv) in the conduction and valence bands, intrinsic carrier density ni, temperature dependence of the energy band gap (Eg) and doping dependence of the energy band gap (Eg) of aluminum gallium arsenide (AlxGa1 – xAs) semiconductors are analyzed using MATLAB for different values of x (0 ≤ x ≤ 1).
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
2130599510
Australia Australia
1
Bangladesh Bangladesh
1
Belgium Belgium
1
Canada Canada
1
China China
-1556901184
Finland Finland
178
France France
1
Germany Germany
1065299752
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Iran Iran
1
Ireland Ireland
62439204
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Mexico Mexico
1
Morocco Morocco
1
New Zealand New Zealand
1
Singapore Singapore
-1887982380
South Korea South Korea
7124900
Taiwan Taiwan
21338986
Ukraine Ukraine
2089673195
United Kingdom United Kingdom
-458408707
United States United States
519002532
Unknown Country Unknown Country
2089673194
Vietnam Vietnam
3562791

Downloads

Algeria Algeria
1
Canada Canada
1
China China
88115836
Finland Finland
1
Germany Germany
2130599509
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
246362812
Indonesia Indonesia
1
Iran Iran
1
Ireland Ireland
1
Japan Japan
-1887982384
Laos Laos
1
Lithuania Lithuania
1
Nigeria Nigeria
1
Switzerland Switzerland
1
Ukraine Ukraine
1727689470
United Kingdom United Kingdom
179
United States United States
519002531
Unknown Country Unknown Country
2130599513
Vietnam Vietnam
3562792

Files

File Size Format Downloads
Abdelkrim_Mostefai_jnep_2_2022.pdf 490.03 kB Adobe PDF 662982973

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.