Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88132
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Комп`ютерне моделювання базових компонентів напівпровідникової технології: діодів та МОН транзисторів
Other Titles Computerized simulation of semiconductor technology base components: diodes and MDS transistors
Authors Ворона, О.І.
ORCID
Keywords напівпровідниковий діод
полупроводниковый диод
semiconductor diode
МОН транзистор
МОП транзистор
MОS transistor
вольт-амперні характеристики
вольт-амперные характеристики
volt-ampere characteristics
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88132
Publisher Конотопський інститут Сумського державного університету
License Copyright not evaluated
Citation Ворона О. І. Комп`ютерне моделювання базових компонентів напівпровідникової технології: діодів та МОН транзисторів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 – електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : КІ СумДУ, 2022. 44 с.
Abstract Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні основи принципу дії, структурні та робочі характеристики напівпровідникових діодів та МОН транзисторів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей напівпровідникових діодів та МОН транзисторів, алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних результатів. При виконанні роботи для розробки та створення структур напівпровідникових діодів та МОН транзисторів використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань структур напівпровідникових діодів та МОН транзисторів, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості застосування таких елементів в сучасній мікроелектрониці. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд сучасних систем програмного моделювання та їх можливостей. У другому розділі описано методи розробки, опису фізичної моделі діодів та МОН транзисторів, алгоритм створення віртуальної моделі в програмному середовищі та отримання результатів у зручному для сприйняття вигляді. У третьому розділі було спроектовано віртуальні моделі описаних діодних та транзисторних структур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними характеристиками.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)

Views

Germany Germany
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Ireland Ireland
594
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
244847
United Kingdom United Kingdom
5125
United States United States
857863
Unknown Country Unknown Country
1120585

Downloads

Belarus Belarus
1
Bolivia Bolivia
1
Germany Germany
50515
Ireland Ireland
1
Romania Romania
1
Ukraine Ukraine
332421
United States United States
857863

Files

File Size Format Downloads
Vorona_bac_rob.pdf 1.25 MB Adobe PDF 1240803

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.