Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88134
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Числове моделювання впливу температури на параметри сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів
Other Titles Numerical simulation of the temperature influence on silicon nanowires based solar cells parameters
Authors Фаткулліна, І.В.
ORCID
Keywords сонячний елемент
солнечный элемент
solar cell
кремнієвий нанодріт
кремниевая нанопроволока
silicon nanowire
робочі параметри
рабочие параметры
operating parameters
комп’ютерне моделювання
компьютерное моделирование
computer simulation
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88134
Publisher Конотопський інститут Сумського державного університету
License Copyright not evaluated
Citation Фаткулліна І. В. Числове моделювання впливу температури на параметри сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 – електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : КІ СумДУ, 2022. 45 с.
Abstract Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні основи принципу дії, структурні та робочі характеристики фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі кремнієвих нанодротів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів, алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних результатів. При виконанні роботи для розробки та створення структур сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань структур фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості застосування таких елементів в сучасній мікроелектроніці. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків, У першому розділі наведено огляд фізичних основ принципу дії, особливостей будови кремнієвих фотогальванічних елементів. У другому розділі описано методи отримання кремнієвих структур, розробку та опис програми для моделі фотоелектричного перетворювача сонячної енергії на основі кремнієвих нанодротів. У третьому розділі аргументовано вибір транспортних моделей для p-i-n наноструктур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними характеристиками.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)

Views

China China
1
Germany Germany
850
Ireland Ireland
211
Switzerland Switzerland
1
Ukraine Ukraine
22225
United Kingdom United Kingdom
4064
United States United States
142759
Unknown Country Unknown Country
8125

Downloads

France France
421
Germany Germany
142760
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
Poland Poland
1
Ukraine Ukraine
142759
United States United States
142762

Files

File Size Format Downloads
Fatkullina_bac_rob.pdf 1.78 MB Adobe PDF 428706

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.