Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88137
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Комп’ютерне моделювання базових компонентів напівпровідникової технології: діодів та біполярних транзисторів |
Other Titles |
Computer simulation of base components of semiconductor electronics: diodes and bi-polar transistors |
Authors |
Янковський, С.М.
|
ORCID | |
Keywords |
біполярний транзистор биполярный транзистор bipolar transistor напівпровідниковий діод полупроводниковый диод semiconductor diode вольт-амперні характеристики вольт-амперные характеристики volt-ampere characteristics комп’ютерне моделювання компьютерное моделирование computer simulation |
Type | Bachelous Paper |
Date of Issue | 2022 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88137 |
Publisher | Конотопський інститут Сумського державного університету |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Янковський С. М. Комп’ютерне моделювання базових компонентів напівпровідникової технології: діодів та біполярних транзисторів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 – електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : КІ СумДУ, 2022. 40 с. |
Abstract |
Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні основи принципу дії, структурні та робочі характеристики напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів.
Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів, алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних результатів.
При виконанні роботи для розробки та створення структур напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD.
У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань структур напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості застосування таких елементів в сучасній мікроелектрониці.
Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд сучасних систем програмного моделювання та їх можливостей. У другому розділі описано методи розробки, опису фізичної моделі діодів та біполярних транзисторів, алгоритм створення віртуальної моделі в програмному середовищі та отримання результатів у зручному для сприйняття вигляді. У третьому розділі було спроектовано віртуальні моделі описаних діодних та біполярних транзисторних структур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними характеристиками. |
Appears in Collections: |
Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ) |
Views
Australia
1
Côte d’Ivoire
1
Germany
1
Ireland
339
Turkey
1
Ukraine
38481
United Kingdom
2453
United States
72059
Unknown Country
231576
Downloads
Germany
72059
Netherlands
1
South Korea
1
Ukraine
72059
United States
118238
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Yankovskyi_bac_rob.pdf | 1.53 MB | Adobe PDF | 262358 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.