Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88137
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Комп’ютерне моделювання базових компонентів напівпровідникової технології: діодів та біполярних транзисторів
Other Titles Computer simulation of base components of semiconductor electronics: diodes and bi-polar transistors
Authors Янковський, С.М.
ORCID
Keywords біполярний транзистор
биполярный транзистор
bipolar transistor
напівпровідниковий діод
полупроводниковый диод
semiconductor diode
вольт-амперні характеристики
вольт-амперные характеристики
volt-ampere characteristics
комп’ютерне моделювання
компьютерное моделирование
computer simulation
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88137
Publisher Конотопський інститут Сумського державного університету
License Copyright not evaluated
Citation Янковський С. М. Комп’ютерне моделювання базових компонентів напівпровідникової технології: діодів та біполярних транзисторів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 – електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : КІ СумДУ, 2022. 40 с.
Abstract Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні основи принципу дії, структурні та робочі характеристики напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів, алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних результатів. При виконанні роботи для розробки та створення структур напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань структур напівпровідникових діодів та біполярних транзисторів, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості застосування таких елементів в сучасній мікроелектрониці. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд сучасних систем програмного моделювання та їх можливостей. У другому розділі описано методи розробки, опису фізичної моделі діодів та біполярних транзисторів, алгоритм створення віртуальної моделі в програмному середовищі та отримання результатів у зручному для сприйняття вигляді. У третьому розділі було спроектовано віртуальні моделі описаних діодних та біполярних транзисторних структур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними характеристиками.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)

Views

Australia Australia
1
Côte d’Ivoire Côte d’Ivoire
1
Germany Germany
1
Ireland Ireland
339
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
38481
United Kingdom United Kingdom
2453
United States United States
72059
Unknown Country Unknown Country
231576

Downloads

Germany Germany
72059
Netherlands Netherlands
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
72059
United States United States
118238

Files

File Size Format Downloads
Yankovskyi_bac_rob.pdf 1.53 MB Adobe PDF 262358

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.